半导体热敏电阻的电压-温度曲线实验报告.doc

实验名称:  半导体热电特性综合实验姓名         学号        班级        桌号         教室第一实验楼609实验日期 20   年   月  日  节一、实验目的:(实验前,必须要熟悉EXCEL计算功能!否则,难以实验。)。-温度曲线。(热敏指数)、应用EXCEL处理实验数据(自己提前学****二、实验仪器1通讯线接口 2温度显示窗口 3电压显示窗口 4制冷电流表 5按键6测量线接口 7温控线接口 8指示灯 9样品池 ,温度显示屏显示测量室的温度t(单位:℃),电压显示屏显示当前被测样品在该温度下的电压降U(单位:mV),被测样品的电阻值可用R=U/I求出,I是被测样品通过的恒定电流,实验用仪器已经调整在20μA。“V”时电压窗口显示样品(硅热敏电阻)两端电压值。三、实验原理1半导体热敏电阻的热电特性(1)半导体材料的热电特性:其热电特性非常显著,因此,常用作温度传感器的材料。在较大的温度范围内,半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导电机制比较复杂,载流子的浓度受温度的影响很大,因此半导体的电阻率受温度影响也很大。随着温度的升高,热激发的载流子数量增加,导致电阻率减小,因此呈现负的温度系数的关系。但是实际应用的半导体,往往通过搀杂工艺来提高半导体的性质,这些杂质原子的激发,同样对半导体的电输运性能产生很大的影响。同时在半导体中还存在晶格散射、电离杂质散射等多种散射机制存在,因此半导体具有非常复杂的电阻温度关系,往往不能用一些简单的函数概括,但在某些温度区间,其电阻温度关系可以用经验公式来概括,如本实验中用的半导体热敏电阻,它的阻值与温度关系近似满足下式:(1)式中R0为T0时的电阻(初值),R是温度为T时的电阻,T为绝对温度,B为温度系数(热敏指数)。B在工作温度范围内并不是一个严格的常数,但在一定的温度范围内,它的变化不大(我们实验所选测量范围就是在这个范围内)。(2)用最小二乘法确定公式(1)中的B、R0值:将(1)式取对数得到:(2)本实验采用最小二乘法确定经验公式,由直线拟合,得到B和C的值以及R0值请写出用最小二乘法进行直线拟合时,B和C值以及线性相关系数的计算公式:B=              C=         R0=                      r=(线性相关系数)                :-s(温度-时间)、v-t(电压-温度)曲线,具体做法如下:①检查并确认仪器和样品池的连接线、仪器和计算机的通讯线已经连接好。启动计算机。②将档位选择开关