SPICE的器件模型大全(第6章).doc

SPICE的器件模型大全在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句,其中就包括元器件描述语句。许多元器件(如二极管、晶体管等)的描述语句中都有模型关键字,而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项,,对这些特殊器件的参数做详细描述。电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单,也比较容易理解,在SPICE基础中已介绍,就不再重复了;二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍,但不够详细,是本文介绍的重点,以便可以自己制作器件模型;场效应管、数字器件的模型过于复杂,太专业,一般用户自己难以制作模型,只做简单介绍。元器件的模型非常重要,是影响分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多图表,特别是很多数学公式,都是在WORD下编辑后再转为JEPG图像文件的,很繁琐和耗时,所以只能介绍重点。一、二极管模型: 理想二极管的I-V特性: 实际硅二极管的I-V特性曲线:  DC大信号模型:  电荷存储特性: 大信号模型的电荷存储参数Qd: 温度模型: 二极管模型参数表:二、双极型晶体管BJT模型: Ebers-Moll静态模型:::,极电流IcIe的工作范围不同,电流方程也各不相同::、Re、Rb的传输静态模型:正向参数和反向参数是相对的,基极接法不变,而发射极和集电极互换所对应的两种状态,分别称为正向状态和反向状态,与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。  Ebers-Moll大信号模型:     Gummel-Pool静态模型:   Gummel-Pool大信号模型:拓扑结构与Ebers-Moll大信号模型相同,   BJT晶体管模型总参数表:三、金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型::Shichman-Hodges模型