工作气压对ZnOMn薄膜结构特性的影响.pdf

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工作气压对篗∧そ峁固匦缘挠跋李彤榍,张宇呦,。由于大多过渡金属元素在Ⅲ.族半导体材料中的溶解度很低。导致Ⅲ.逑〈中固溶度较高,非平衡态条件下的固溶度达到%。此外,早在年,娶蠓⒈砹掺杂〈虐氲继蹇墒迪志永镂露雀哂谑摘要:利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列篗∧ぃ岷蟁光谱、苌淦缀,目前,人们已经在Ⅲ.逑〈虐氲继宸矫孀半导体的自旋注入效率很低,难以获得大的磁性。年,取⑾止山鹗粼K卦赯材料第卷第年文章编号:治隽斯ぷ髌苟訸:薄膜结构特性的影响。夂瞎馄紫允尽T诠ぷ髌勾增加至的过程中,篗∧な贾毡3肿帕窍诵靠蠼峁埂5牵孀牌沟慕档停杂τ贓:穸J降⑸浞逡约坝隡粼酉喙氐奶卣鞣遄笠疲得髟诘凸ぷ髌故保琙:薄膜内晶格缺陷更多,晶格更加无序。这一结论也得到了蚐结果的证实。关键词:篗焕幌〈虐氲继中图分类号:.篢文献标识码:卜,,.天津职业技术师范大学电子工程学院,天津;ň├砜拼笱锢硐担毡径ň琋.,畐琓琓琓:篗.,,收稿日期:..:修订日期:..基金项目:天津市教委资助项目作者简介:李彤,女,辽宁凤城人,博士,主要从事功能材料与器件的研究。.,—篫:;籨:甤,,瓺,猰簂.
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峰外,还在据位置显现苌浞澹得实验峁胩致温的报道。这一报道引起了科学界对掺杂篗稀磁半导体的研究热潮2煌工作气压制备的篗∧ぞЦ窠峁够岱⑸微变化,这种变化会引起散射峰的频移和改变,因而可以利用馄桌戳私饩迥诓的晶化程度及晶格畸变等信息。目前,对于合馄住衍射谱和治隽瞬煌工作气压制备的篗∧さ慕峁固匦浴及金属靶。采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上通过调整工作气压共溅射掺杂∧ぁO低痴婵粘橹×~,充入高痬,工作气压分别为,,ι涔β饰溅射功率为样品的湎哐苌淦在勰┭苌湟巧喜饬靶,琑光谱采用显微馄滓遣馐激发波长琙:,∧衍射峰峰位没有明显变化。图遣煌ぷ髌固跫轮票傅腪:,整个衍射角范围内只出现射峰,说明篗∧そ峋С潭纫逊浅:茫⑶始终保持六角纤锌矿结构。根据布拉格公式计算了不同气压下掺杂前后∧轴方向的间距随着气压的增加变化不大,但篗∧距大于∧ぁU饪赡苁且蛭1∧ぶ蠱代了进入木Ц瘢鳰胱影刖笥趜胱影刖图2煌瓜耑与篗腸轴晶面间距对比,可以看出随着工作气压的增大,掺杂∧さ腞光谱报道还很少。本文结材料制备与表征靶材是烧结的高纯.%沾砂幸纯,流量为粱奔湮4送猓乖玻璃衬底上制备了无掺杂的∧ぃ糜诙比。生长条件同上。饬俊K胁试均在室温下进行。峁治由变化至时,在整个衍射角范围内,∧こ氏窒灾择优取向,显示薄膜具有很好的六角纤锌矿结构。图逋嘉∧衍射峰的放大图。随着工作气压时,篗∧の5湫偷亩嗑ё刺5惫ぷ髌乖加至时,苌浞逑А<绦黾庸ぷ晶面间距,见图?梢钥闯觥薄膜峋峋婕渚嗨孀牌沟脑龃蠖飨约跣 T谙同工作气压下制备的篗∧さ腸轴晶面间表面形貌表征晶面间距差逐渐减小。图~冉狭瞬煌ぷ髌固跫制备的篗∧さ腟图。可以发光学报第卷琈图煌ぷ髌瓜耑薄膜的苌淦祝逋嘉衍射峰放大图。图煌ぷ髌瓜耑:薄膜的苌淦祝图为篗衍射峰放大图。,./’、
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动模式状态的改变。纤锌矿峁故粲凇叮看出,随着工作气压的增加,篗∧た帕3寸呈现先略微增大然后减小的趋势。当工作气压发地向低能态转化的趋势。使稳定