*RF电路ESD防护设计*目录ESD概述ESD防护设计方法过压防护原理和防护器件介绍RF电路ESD防护设计技术ESD防护实验案例分析*ESD概述基本概念半导体器件静电敏感特性ESD危害及损坏机理ESD防护控制手段*基本概念ElectrostaticElectrostaticDischarge(ESD)接触放电,击穿介质放电ESSD(ElectrostaticSensitiveDevices)ESDS(ElectrostaticDischargeSensitivity)*ESD模型人体模型HBM人体金属模型HBMM机器模型MM充电器件模型CDM场感应模型FIM(FICDM)电缆放电事件CDE*半导体器件静电敏感性尺寸(更加细小精密)集成度(更加复杂)材料(更加静电敏感)*半导体器件静电敏感性*高频器件静电敏感特性尺寸√尺寸小,结薄材料工艺√GaAs,SiGe,InP,InGaP,SiFET,HBT,HEMT,BiCMOS,BJT集成度χ*ESD危害器件损伤硬损伤,软损伤EMI功能故障,系统跑飞污染(静电吸附)*ESD损坏器件机理Fields..voltage介质击穿Jouleheating..energy热熔化
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