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石德珂材料科学填空题.doc《材料科学基础》填空题第一章材料结构的基本知识原了核外电子的分布与四个量了数有关,且服从下述两个基本原理:泡利不相容原理和最低能与原理原子结合键中一次键(强健)有离了键、共价键、金属键;二次键(弱健)有范德瓦尔斯键、氢键、离了晶体和原了晶体硬度高,脆性大,熔点高、导电性差。金属晶体导电性、导热性、延展性好,熔点较高。能量最低的结构称为稳态结构或平衡态结构,能量相对较高的结构则称为业稳态结构;材料的稳态结构与亚稳态结构由愁力堂条件和动力堂条件共同决定;第二章材料的晶体结构1、 晶体结构中基元就是化学组成相同、空间结构相同、排列取也相同、周围环境相同的基木单元:2、 简单立方晶胞中(100)、(110)、(111)晶面中,面间距最小的是^11口面,最大的是一(100)面;3、 晶面族{io。}包含(io。)(010)(001)及平行(ioo)(oio)(ooij_等晶面;4、 (100),(210),(110),(2T0)等构成以「001]为晶带轴的晶带:(01T),(0T1),(10T),(IT0)等构成以[111]为晶带轴的晶带;5、 晶体宏观对称兀素只有1,2,3,4,6,L,m,4_等8种是基本的6、 金属中常见的晶体结构有面心立方、体心立方、密排六方三种:7、 金属密堆积结构中的间隙有四血体间隙和八面体间隙两种类型8、 面心立方晶体中1个晶胞内有个八面体间隙,旦个四面体间隙。9、 陶瓷材料是以亶询、共价键以及离了键和共价键的混合以结合在一起;10、 硅酸盐的基木结构单元是硅酸根四血-体;11、 SiO,中主要化学键为为价键与离子键;12、 硅酸盐几种主要结构单元是岛状结构单元、双四而体结构单元、环状结构单元以及链状结构单元、层状结构单元;13、 高子晶体中决定正负离子堆积方式的两因数是:电荷大小,满足电中性;正负离了的相对大小;14、陶瓷材料的组成相有一玻璃相、气相和结晶相⑴ (b) (c)15、上图为离了晶体中稳定和不稳定的配位图形,图—。写出下列聚合物的结构单元:聚乙烯-如2如- 、聚***乙烯一-CH2CHC1-一、聚苯乙烯6、尼龙-6 -HN(CH)5(?0- °加聚反应是指由 由一种或多种单体相互加成 而连接成聚合物的反应。高分了材料的结构主要包括两个微观层次即商分了链结构一结构和高分了聚集态结构一结构。高分了•主链中含有氧原了能提高高分了的弹性 ;磷和***原了能提高耐热性;***原子能提高化学稳定性。从分子链结构看,聚***乙烯的链柔顺性比聚丙烯的链柔顺性,比聚丙烯腊的链柔顺性一妊,这是因为分了链上取代基极性分同 而造成的。一般缩聚物的高分了主链上不存在不对称的碳原了,因此主链结构比较规整,结晶度高。ABS树脂是由苯乙烯、丁二烯和丙烯腊三者共聚而得。一些高分了材料在Tg温度附近冷拉,可以使其强度和弹性模最提高。第四章晶体缺陷晶体缺陷包括点鲤1、线缺陷和血缺陷;肖]蛭缺陷是离位原了进入其它空位或迁移至晶界或表面形成的点缺陷弗兰克尔缺陷是离位原子进入晶体间隙形成的点缺陷位错可分为刃位错、螺位错和混合型位错;具有环形位错线的位错不可能是纯螺位错当点缺陷浓度达到饷值时,晶体自由能最低根据螺旋面前进的方向与螺旋面旋转方何的关系可分为垒苴螺型位错位错在晶体中运