第9章mos管 ppt课件.ppt

VLSICAD,*第9章MOS晶体管工作原理1-1MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2MOS晶体管的阈值电压分析1-3MOS晶体管的电流方程1-4MOS晶体管的瞬态特性VLSICAD,*第一章MOS晶体管工作原理1-1MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2MOS晶体管的阈值电压分析1-3MOS晶体管的电流方程1-4MOS晶体管的瞬态特性补充:1-5MOS晶体管的其它电学参数1VLSICAD,*1-1-1  MOS晶体管的基本结构MOS晶体管:金属-氧化物-半导体场效应晶体管 MOSFET基本结构:栅,源区,漏区,沟道区主要结构参数:沟道长度L沟道宽度W 栅氧化层厚度tox源漏区结深XjMOS晶体管VLSICAD,*VLSICAD,*1-1-2MOS管基本工作原理工作原理--栅压控制器件Vgs=0,截止0<Vgs<Vt,截止(沟道表面耗尽、弱反型)Vgs>Vt开启情况1:Vds=0情况2:Vds>0转移特性曲线(漏级电流,栅压,漏压,阈值电压)输出特性曲线(I-V曲线)截止区,线性区,饱和区,击穿区问题:为什么MOS晶体管也叫单极晶体管?三维能带图VLSICAD,*VLSICAD,*1-1-3MOS晶体管的分类按导电类型:NMOS管:N沟道MOS晶体管PMOS管:P沟道MOS晶体管按工作机制分:增强型器件:(也叫常截止器件)耗尽型器件:(也叫常导通器件)图1-1-7VLSICAD,*分类VLSICAD,*1-1-4MOS晶体管的结构特点p结构简单面积小-------便于集成输入阻抗很高-------级间可以直接耦合源漏对称-------------电路设计灵活有效工作区集中在表面,和衬底隔离VLSICAD,*第一章MOS晶体管工作原理1-1MOS晶体管的结构特点和基本原理1-2MOS晶体管的阈值电压分析1-3MOS晶体管的电流方程1-4MOS晶体管的瞬态特性