粉煤灰纳米沸石复合颗粒功能化设计及其污水氮磷去除初步研究.pdf

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大连理工大学
博士学位论文
ZnO纳米结构与器件的制备和研究
姓名:于东麒
申请学位级别:博士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:胡礼中
20090501
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摘要近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的热点。其中,擅渍罅薪峁贡蝗衔J亲罹哂杏τ们熬暗哪擅材料之一。,是制备下一代短波长发光二极管图す馄的最佳候选者之一;它具有良好的压电性和生物适合性,可用于压电传感器、机电耦合传感器、表面声波器件、微机电系统和生物医药等领域。而且,制备擅捉峁沟募术较多,如:化学气相沉积⒔鹗粲谢喑粱、热蒸发、分子束外延取R虼耍琙纳米结构成为众多研究者关注的焦点,许多研究人员通过各种制备技术得到了不同形貌和性质的擅捉峁埂1疚囊訸材料为出发点,重点研究了目前阻碍擅灼骷⒄沟哪训阄侍猓褐票父咧柿康腪纳米结构阵列和筒粼覼纳米结构。同时对擅紫叱⌒в骞芷骷辛顺醪窖芯俊通常人们采用金属催化的方法生长擅捉峁梗钦庑┙鹗舸呋粱嵋胄的杂质缺陷,所以发展无催化方法制备擅捉峁故呛苡斜匾5摹>萘私猓侥壳为止还没有关于无金属催化的脉冲激光沉积椒ㄖ票竄纳米结构的报道。本文采用际跬ü捞氐姆椒ㄔ贗衬底上实现了擅捉峁拐罅械目煽厣ぃ实验中没有采用金属催化剂,避免引入了新的杂质缺陷。通过、谱等表征手段对其进行了表征,结果表明制备出的擅捉峁咕哂薪虾玫谋砻嫘蚊埠徒峋质量,常温呈现出紫外发射峰和绿光发射峰,表现出良好的光学性质。这种简单的ㄎ=徊街票钢柿柯隳擅灼骷G蟮腪纳米结构提供了一种无金属催化的生长方法。进一步优化生长条件制备出整齐的擅捉峁拐罅小显示制备出的米结构阵列具有很好的表面形貌和择优生长取向;馐越峁砻鱖纳米结构阵列结晶质量很好;低温谱出现新奇的现象,通过比较不同生长温度的低温谱,推断磷元素可以从牡滓绯隼┥⒔隯,形成磷掺杂的篜擅捉构阵列;采用变温和变激发光谱对光学特性和发光机理进行了细致研究,证实了磷元素是作为受主掺杂进入擅捉峁拐罅校徊捎肁公式对实验数据进行拟合计算,计算出的受主束缚能毋的数值与理论模型预言和其他课题组得到的实验数据相符合。本实验成功制备出篜纳米结构阵列,为实现擅灼骷腜型掺杂提供了一种可借鉴的方法。大连理工大学博士学位论文,
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未掺杂的尖锐:】:擅姿慕抢庾兜亩ザ艘1良好的晶体质量;选择区域电子衍射出现了清晰的矩形亮斑衍射花样说明未掺杂和磷掺杂的擅姿慕抢庾兜木褰峁刮A窍诵靠蠼峁梗峋е柿亢芎镁哂忻飨缘择优生长取向;通过比较未掺杂和磷掺杂样品的低温谱,发现未掺杂样品出现施主束缚激子【妥杂杉ぷ酉喙氐姆⑸浞澹撞粼友返牡臀翽字蠨消失并出现了几个新的发射峰,推测这几个发射峰应该是与磷掺杂有关,采用变温和变激发谱表征磷掺杂样品的光学性质,通过对机理的分析确认这几个发射峰是与磷受主掺杂相关的:現珼以及虼酥な盗肆自K厥亲魑J苤鞑粼咏隯。利用胶虷嬖蛲ü笛槭菽夂系贸鍪苤魇磕芾1臼笛橥ü种简单的椒ê汀至鄣腜粼釉词迪至薢纳米结构的筒粼樱馕进一步实现擅灼骷峁┝艘恢挚尚械腜型掺杂方法。通过化学气相沉积方法生长出擅紫撸玫缱邮舴⒑凸饪碳际踔票赋龉则的微米级电极,将单根擅紫叽盍贏缂希樽俺隽俗罨镜陌氲继擅紫叱⌒в骞堋@,结果显示该场效应晶体管具有良好的整流特性,达到了场效应关键词:氧化锌;纳米阵列;光致发光谱;磷掺杂晶体管应用的基本要求。擅捉峁褂肫骷闹票负脱芯
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日期:碑年—上月二蔓日作者签名:——二⒂氲鏛———一大连理工大学学位论文独创性声明圣堕绍纸崂ḿ驯ń2榕贪嗑作者郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明引用内容和致谢的地方外,本论文不包含其他个人或集体已经发表的研究成果,也不包含其他已申请学位或其他用途使用过的成果。与我一同工作的同志对本研究所做的贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。若有不实之处,本人愿意承担相关法律责任。学位论文题目:
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:—埠年—露迦亟垄越圣旦疖纸岜慕5茜寰大连理工大学学位论文版权使用授权