HgCdTe红外探测器的诞生
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碲镉***红外探测器
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合理的假设
HgTe:禁带宽度-
CdTe:
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碲镉***红外探测器
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光子吸收率高
跃迁方式为带间跃迁
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碲镉***红外探测器
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全波段相应
通过调节Cd组分的数值大小,碲镉***材料的禁带宽度随之变化
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碲镉***红外探测器
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HgCdTe光伏探测器结构
p-on-n:超高的探测器灵敏度
n-on-p: 制造工艺简单
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碲镉***红外探测器
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生产工艺
n-on-p:离子注入技术
消除辐射损伤
控制掺杂离子的扩散
激活杂质离子的电活性
p-on-n:受主掺杂
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碲镉***红外探测器
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探测器器件优质比较
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碲镉***红外探测器
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我国的研究情况
(1)2048元线列碲镉***焦平面器件
(2)双色碲镉***红外器探测器
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碲镉***红外探测器
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2048元线列碲镉***焦平面器件
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碲镉***红外探测器
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2048像元分布
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碲镉***红外探测器
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