多铁性论文：多铁性 铁酸铋 铁电薄膜 压电系数 剩余极化.doc

多铁性论文: Mn对 BiFeO_3 基薄膜结构及性能的影响研究【中文摘要】 BiFeO_3 是一种在室温下具有多铁性的无铅材料, 其居里温度(TC ~ 850 ℃) 和尼尔温度(TN ~ 370 ℃) 都较高。近年来研究发现镧系元素掺杂和应变都能够使 BiFeO_3 的结构出现准同型相界, 在准同型相界附近存在可以与 PZT 媲美的压电响应, 在未来的信息存储、传感器、微机电系统和多功能器件等应用中有希望取代含铅材料。但是, 采用化学溶液法制备的 BiFeO_3 薄膜存在严重的漏电问题,矫顽场较大, 绝缘性能和长期可靠性较低, 与未来器件应用的要求还有一定的差距。因此, 目前的关键问题就是要抑制 BiFeO_3 基薄膜的漏电、改善其绝缘性能和长期可靠性以及提高薄膜的极化和压电系数。本论文通过精确控制 Mn 掺杂量降低了 BiFeO_3 基薄膜的漏电并且保持了其压电性能, 通过控制薄膜制备的工艺参数提高了薄膜的结晶程度, 获得较好的铁电性能。本文采用金属有机分解法结合层层退火工艺在 ITO/ 玻璃衬底上制备了 BiFeO_3 基薄膜, 一方面研究了 Mn 掺量对 Bi_()Sm_()FeO_3 薄膜在结构、漏电、铁电和压电性能上的影响; 另一方面研究了薄膜的单层厚度和退火温度对 BiFe_()Mn_()O_3 薄膜的生长模式和电... 【英文摘要】 BiFeO_3, asa multiferroic lead-free material at room temperature, shows high ferroelectric Curie temperature (~ 850 ℃) and ic Né el temperature (~ 370 ℃). Recently, it is demonstrated that morphotropic phase boundary can be driven by the doping of lanthanides and strain in the BiFeO_3 thin films. These films, exhibiting a large piezoelectric parable to that of PZT, are a promise candidate to substitute PZT family materials in the future application of information storage, piezoelectri... 【关键词】多铁性铁酸铋铁电薄膜压电系数剩余极化【英文关键词】 multiferroic BiFeO3 ferroelectric thin film piezoelectric coefficient remanent polarization 【索购全文】联系 Q1: 138113721 Q2: 139938848 同时提供论文写作一对一辅导和论文发表服务. 保过包发【目录】 Mn对 BiFeO_3 基薄膜结构及性能的影响研究摘要 8-10 ABSTRACT 10-12 第一章绪论 13-30 多铁材料 13-16 铁电性 13-15 铁磁性 15-16 压电材料