可控硅参数说明.docx

符号说明：
VRRM-- 反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重
复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压 100V 。反向
最高测试电压， 规定为反向漏电流急速增加， 反向特性曲线开始弯曲时的
电压。
VRSM--反向不重复峰值电压 ；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加
在可控硅上的交流电压。
Vdrm—断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定
值时， 允许重复加在器件上的正向峰值电压 .国标规定重复频率为 50H ， 每
次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压 Vdrm为断态不重复峰值
电压(即断态最大瞬时电压) UDSM 的 90%.断态不重复峰值电压应低于
正向转折电压 Ubo 。
IT(AV)/ IF(AV)-- 通态 /正向平均电流；在环境温度 +40 ℃和额定结温下，导
通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。
I T(RMS),I F(RMS^—通态/正向方均根电流；是指在额定结温，允许流过器件的最大有
效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不
超过对应壳温下的方均根电流值
I TSM,I FSM--通态 / 正向浪涌电流； 指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定
结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波 t=10ms, 50Hz)
I2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可
控硅的发热特性。
Rm-门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；
PG（AV）-- 门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；
di/dt-- 通态电流临界上升率； 指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电
流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）
VISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj-- 工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的 PN 结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高 PN 结温度。
Tstg-- 储存温度；能保证可控硅正常工作的储存温度。
Md--安装力矩 / 电极连接力矩 ；在安装过程中超过此规定，将造成可控硅
的损坏。
IDRM-- 断态重复峰值电流； 为晶闸管在阻断状态下， 承受断态重复峰值电
压 VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时， 流过元件的正反向峰值漏电流，
该参数在器件允许工作的最高结温 Tjm 下测出。
I RRM -- 反向重复峰值漏电流； 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电
压VDrm^口反向重复峰值电压Vrr别流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器
件允许工作的最高结温 Tjm 下测出
Vtm / Vfm—通态/正向峰值电压；指器件通过规定正向峰值电流I fm或通态峰值
电流 I TM 时的峰值电压也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特
性影响