LED芯片的发展趋势.ppt

LED芯片的发展趋势
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LED芯片的发展趋势
一、大功率芯片
二、高效率芯片
三、我国芯片发展情况
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一、LED芯片大功率
在LED按输入功率分类中，瓦级LED芯片的尺寸为1×1mm，小功率LED芯片为8×8mil=200×200µm。
是不是会得出这样的结论：LED的芯片尺寸越大，输入的电功率越大，输出光通量越大。
研究表明：×，发光不会与芯片面积成正比，而是随着芯片面积的增加，发光强度减小。
一、发展趋势之大功率
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一、LED芯片大功率
未来大功率LED的获得方法
不可能由大尺寸面积的单芯片LED完成
由多个芯片组合做成高亮度LED光源。
一、发展趋势之大功率
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二、高效率
LED芯片发光效率的理论推算
200lm/W
二、发展趋势之高效率
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目前的效率水平
以白光LED为例
2000年：10lm/W
市场：70~100lm/W
二、发展趋势之高效率
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2008年Osram新款白光LED发光效率又创新高
在350mA的工作电流下，峰值亮度达到了155lm，发光效率为136lm/W。
研究人员使用了一种新型1平方毫米LED发光元件。这种LED原型的色温为5000K，色座标为（，）(x，y)。
，亮度可达到500lm，潜在应用包括投影仪、汽车车灯以及其他需要高亮度照明场合，届时仅靠单颗LED就能满足人们的需要。目前，欧司朗准备将这项技术迅速从实验室带入市场。
二、发展趋势之高效率
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提高发光效率的方法
内量子效率：电子跃迁产生光子的效率。基本可以达到80％甚至90％以上。
外量子效率：远没有上面的高，也就是光子产生了，却无法有效提取，被LED吸收产生为热能导致结温升高 。从芯片的外延片的结构中考虑，如衬底的结构、芯片表面处理、芯片大小、封装方法等方面改善。
二、发展趋势之高效率
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提高外量子效率简介
衬底剥离技术
表面粗化技术
制备基于二维光子晶体的微结构
倒装芯片技术
芯片表面处理技术
全方位反射膜
发展大功率大尺寸芯片
提高侧向出光的利用效率
二、发展趋势之高效率
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三、我国芯片发展情况
“十一五”半导体照明战略目标示意图
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