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电力电子技术习题集.docx电力电子技术****题集
第1章电力电子器件
填空题：
电力电子器件一般工作在 状态。
在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为,而当器件开关频率较高时， 功率损耗主要为=
电力电子器件组成的系统，一般由 、、三部分组成，由
于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 O
按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为、
、 三类。
电力二极管的工作特性可概括为 o
电力二极管的主要类型有、、。
肖特基二极管的开关损耗 快恢复二极管的开关损耗。
晶闸管的基本工作特性可概括为 正向有触发则导通、反向截止。
对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL IH o
晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM Ubo。
逆导晶闸管是将——与晶闸管— (如何连接)在同一管芯上的功率集成 器件。
GT0的 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为。
M0SFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的工个区 域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的
、前者的非饱和区对应后者的=
电力M0SFET的通态电阻具有 温度系数。
IGBT的开启电压UGE ( th)随温度升高而,开关速度 电力
MOSFET o
功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是=
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分
为 和 两类。
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是。
GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 o
抑制过电压的方法之一是用 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消
耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于 功率装置的保护。
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用 型二极管，以便与功率晶体
管的开关时间相配合。
晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 措施，给每只管子并
联RC支路是 措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用 的方法。
IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 温度系数，在1/2或
1/3额定电流以上区段具有 温度系数。
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管
（GT0）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力M0SFET）、绝缘栅双极型晶体管
（IGBT）中，属于不可控器件的是,属于半控型器件的是,属于全控型
器件的是 ;属于单极型电力电子器件的有 ，属于双极型器件的有
，属于复合型电力电子器件得有;在奇控的器件中，容量最大的是
,工作频率最高的是,属于电压驱动的是,属于电流驱动的是
简答题：
电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什 么？
应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义?
X极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何 二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？
二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相 导电性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？
使晶闸管导通的条件是什么？
维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能?
GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不 接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？
如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？
晶闸管的触发电路有哪些要求？
GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各组件的作用。
试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
计算题：
晶闸管在单相正弦有效值电压220V时工作，若考虑晶闸管的安全裕量，其电压定额应 选多大？
流经晶闸管的电流波形如题图1 — 41所示。试计算电流波形的平均值、有效值及波 形系数。若取安全裕量为2,问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最 大值为多少？
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题图1-41流经晶闸管， 的电流波形a
题图1-42。
在题图1-42电路中，E=50V, R=0. 5W, L=0. 5H,晶闸管擎住电流为15mA。要使晶 闸管导通，