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干膜工艺介绍p.ppt


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干膜工艺介绍p.ppt
文档介绍:
干膜工艺介绍p
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜的结构
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜的主要成分:
1. 干膜介绍及发展趋势
干膜性能的评估
解晰度
附着力
盖孔能力
填凹陷能力
其他
1. 干膜介绍及发展趋势
为了达到线路板的多层和高密度要求,目前干膜一般解像度要达到线宽间距(L/S)在50/50um。但在半导体包装(BGA, CSP)上,线路板一般设计在 L/S在 25-40 um。必需要高解像度的干膜(L/S = 10/10 um)。为了满足客户要求、我们公司目前新型干膜的解像度可达到L/S = 7.5/7.5 um。
干膜的发展趋势
1. 干膜介绍及发展趋势
解晰度测试:45/45微米
SEM: 45/45微米
1. 干膜介绍及发展趋势
25um Dry Film,L/S=7.5/7.5um
干膜介绍及发展趋势
ASAHI干膜主要型号及特点
干膜型号
厚度(um)
特点
YQ-40SD
YQ-40PN
40
针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等
YQ-30SD
30
适用于DES流程,主要用于内层制作,解析度方面较好
YQ-50SD
50
针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点
AQ-4088
40
针对DES流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程.
SPG-152
15
适用于生产1.5mil的精细线路
ADV-401
40
适合于LDI工艺
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