ZnO纳米棒阵列复合薄膜制备及其光、电性质.pdf

分类号: 密级: 天津理工大学研究生学位论文 ZnO纳米棒阵列复合薄膜的制备及其光、电性质(申请硕士学位) 学科专业:微电子学与固体电子学研究方向:纳米光电子材料与器件作者姓名:王丽师指导教师:李岚研究员徐建萍副教授 2013年1月 Thesis Submitted toTianjin University ofTechnology for theMaster’SDegree The Preparation oftheHybid ZnO Nanorod Array and Its Optical/Electronic Properties By LishiWang Supervisor Lan Li Jianping Xu January 2013 独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得叁盗堡墨盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名:王厕咿签字日期:b房年 7月2岔日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解墨盗堡兰盘望有关保留、使用学位论文的规定。特授权叁生墨墨盘望可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编, 以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子文件。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明) 学位论文作者签名:王丽;)夸导师签名:张蝴签字日期:hf≥年 J月2》日签字日期:勘/弓年,月甜日摘要近年来,一维ZnO纳米结构用于纳米光电器件的研究已经引起了人们广泛的关注。通过掺杂不同的元素、表面包覆(表面修饰)可以调节ZnO纳米棒阵列的物理化学性质,以满足具有特定功能的器件的需求。本文主要采用化学浴沉积的方法合成了ZnO 纳米棒阵列,进一步合成了ZnO/ZnS纳米棒:P3HT复合薄膜及ZnO/CuO纳米棒阵列并分别研究了它们的光、电性质。主要工作内容如下: l、通过改变反应物浓度和反应时问分别合成了长度为250 。PL谱的分析认为568 nln发光峰可能的来源为浅施主能级Zni+与受主能级VoZni 的跃迁,649nm附近的红光的来源可能为Znio到oi的跃迁。引入ZnS纳米粒子对ZnO 纳米棒表面进行修饰及钝化ZnO的表面缺陷,以减弱其缺陷发光峰。分别合成了结构为:-—P3HT-Au的两类器件。,串联电阻,反向漏电流,及整流比等参数。由于ZnS的修饰作用, 使得有ZnS包覆的ZnO纳米棒阵列的器件展现出更优异的电子传输性能。 2、通过简单的液相法结合高温烧结法(400℃)得到了CuO粉术。通过自组装方法合成了ZnO/CuO p-n结,并对其光学性质进行了讨论。-n结器件受陷阱电荷限制电流机制的限制,其串联电阻为562 Q。结果表明这种一维的ZnO/CuO 。关键词: ZnO纳米棒阵列ZnO/ZnS纳米棒:P3HT ZnO/CuO纳米棒阵列 Abstract Recently,one—dimensional(1 D)nanostructure semiconductor materials have attracted much attention due totheir potential foroptoelectronic them,1一D ZnO nanostructures could provide specificphysical and chemical properties with ionsdoping or surface thispaper,The ZnO nanorod arrays(NRAs)was grown by means of chemical bathdeposition(CBD) that,the preparation ofZnO/ZnS NRAs: posite film and ZnO/CuO NRAS were carried out forperformance improvement and theiroptical and electronic properties have major results are listed as follows: