第1章常用半导体器件
场效应晶体管
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场效应晶体管
场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。
结型场效应管JFET
绝缘栅型场效应管MOS
场效应管有两种:
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基本结构和工作原理
(1)结构和电路符号
P
N
N
G
S
D
P型基底
两个N区
SiO2绝缘层
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P
N
N
G
S
D
金属铝
导电沟道
G
S
D
N沟道增强型
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N沟道耗尽型
P
N
N
G
S
D
予埋了导电沟道
G
S
D
5
N
P
P
G
S
D
G
S
D
P沟道增强型
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P沟道耗尽型
N
P
P
G
S
D
G
S
D
予埋了导电沟道
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(2)MOS管的工作原理
以N沟道增强型为例
P
N
N
G
S
D
uDS
UGS
8
P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS=0时
D-S间相当于两个反接的PN结
ID=0
对应截止区
栅极金属层将聚集正电荷(电场),排斥靠近绝缘层一侧的空穴,剩下负离子,形成耗尽层。
耗尽层
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P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS>0时
UGS足够大时(UGS>UGS(th))感应出足够多电子,这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。
UGS(th) 称为开启电压
感应出电子
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