下载此文档

常用半导体器件(PPT 18).ppt


文档分类:高等教育 | 页数:约18页 举报非法文档有奖
1/ 18
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/ 18 下载此文档
文档列表 文档介绍
第1章常用半导体器件
场效应晶体管
1
场效应晶体管
场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。
结型场效应管JFET
绝缘栅型场效应管MOS
场效应管有两种:
2
基本结构和工作原理
(1)结构和电路符号
P
N
N
G
S
D
P型基底
两个N区
SiO2绝缘层
3
P
N
N
G
S
D
金属铝
导电沟道
G
S
D
N沟道增强型
4
N沟道耗尽型
P
N
N
G
S
D
予埋了导电沟道
G
S
D
5
N
P
P
G
S
D
G
S
D
P沟道增强型
6
P沟道耗尽型
N
P
P
G
S
D
G
S
D
予埋了导电沟道
7
(2)MOS管的工作原理
以N沟道增强型为例
P
N
N
G
S
D
uDS
UGS
8
P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS=0时
D-S间相当于两个反接的PN结
ID=0
对应截止区
栅极金属层将聚集正电荷(电场),排斥靠近绝缘层一侧的空穴,剩下负离子,形成耗尽层。
耗尽层
9
P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS>0时
UGS足够大时(UGS>UGS(th))感应出足够多电子,这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。
UGS(th) 称为开启电压
感应出电子
10

常用半导体器件(PPT 18) 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

非法内容举报中心
文档信息
  • 页数 18
  • 收藏数 0 收藏
  • 顶次数 0
  • 上传人 管理资源吧
  • 文件大小 0 KB
  • 时间2011-07-26
最近更新