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原位退火对磁控溅射法制备mg 2si薄膜性能的影响.pdf

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文档列表 文档介绍

分类号：T B 3 0 3
密级：公开
论文编号：201801031170

贵州大学
2018 届硕士研究生学位论文

原位退火对磁控溅射法制备
Mg2Si 薄膜性能的影响

学科专业：电子科学与技术
研究方向：微电子学与固体电子学
导师：陈茜副教授
研究生：马新宇

中国﹒贵州﹒贵阳
2018 年 4 月
贵州大学硕士学位论文

目录
摘要 ................................................................................................................................................ III
Abstract .......................................................................................................................................... IV
第一章绪论 ..................................................................................................................................... 1
研究意义 ............................................................................................................................ 1
的基本性质 .............................................................................................................. 2
Mg2Si 的晶体结构................................................................................................... 2
Mg2Si 的能带结构................................................................................................... 3
Mg2Si 的物理性质.................

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