电子电路基础习题册参考答案.doc

. 电子电路基础****题册参考答案免费提供(第三版)全国中等职业技术第一章常用半导体器件§ 1-1 晶体二极管一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。 2 、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3 、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。N 型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P 型半导体又称空穴型半导体, 其内部少数载流子是电子。 4 、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为 V, 锗二极管的开启电压约为 V; 二极管导通后, 一般硅二极管的正向压降约为 V, 锗二极管的正向压降约为 V。 5. 锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。 6. 稳压二极管工作于反向击穿区, 稳压二极管的动态电阻越小, 其稳压性能好。. 7 在稳压电路中, 必须串接限流电阻, 防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8 二极管按制造工艺不同, 分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10 、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11 、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图 1-1-1 所示电路中, 二极管 V1 、 V2 均为硅管, 当开关 S与 M 相接时, A 点的电位为无法确定 V, 当开关 S与 N 相接时, A 点的电位为 0 V. 13图 1-1-2 所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关 S 打开时, A 点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ;当开关 S 闭合时, A 点的电位为 0 V ,流过电阻的电流为 2mA 。 14 、图 1-1-3 所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管 V1 的电流为 ,流过 V2 的电流为 , 输出电压 U0 为+5V 。. 15 、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号,发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。 16 、用数字式万用表测量二极管,应将功能开关置于二极管挡, 插孔,接二极管的负极;红表笔插入 V,Ω插孔,接二极管的正极,其显示的读数为二极管的正向压降。一、判断题 1 、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(√) 2、 P 型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。(×) 3 、晶体二极管有一个 PN 结,所以有单向导电性。( √) 4 、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。( √) . 5、硅稳压管的动态电阻小, 则稳压管的稳压性能愈好。(√) 6、将 P 型半导体和 N 型半导体用一定的工艺制作在一起, 其交界处形成 PN 结。( √) 7 、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。( ×) 8 、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻,其数值是相同的。( ×) 9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压, PN 结就会击穿。( ) 10 、二极管的反向电阻越大,其单向导电性能越好。( ×) 11、用 500 型万用表测试发光二极管, 应选 R× 10K 挡。(√) 三、选择题 1 、当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将( A )。 A .增大 B. 减小 C. 不变 2 、测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把万用表欧姆档拨到( A )。 A .R× 100 或 R× 1K × 1 × 10K 3 、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为( B )。 型半导体 B. 本征半导体 C、 N 型半导体 4 、稳压管的稳压性能是利用( B )实现的。. A. PN 结的单向导电性 B .PN 结的反向击穿特性 C. PN 结的正向导通特性 5、电路如图 1-1-4 所示, 已知两个稳压管的 UZ1=7V , UZ2=5 V 它们的正向压降均为 ,则输出电压 U0 为( C) A. 12V B. C. 6、在图 1-1-5 所示的电路中, 流过二极管的电流 I1、 I2 分别是( D )。 =8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA D. I1=0, I2=8mA 7 、二极管的正向电阻( B )反向电阻。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 8 、电路如图 1-1-6 所示, V 为理想二极管,则二极管的状态为( A )。 A. 导通 B