《DB电子测试知识》.ppt

《DB电子测试知识》
1、PN结外加正向电压
P接电源正，N接电源负
外电场与内电场方向相反（削弱内电场），使 PN结变窄。
扩散运动＞漂移运动。
称为“”。
PN结外加正向电压（图）
2、 PN结外加反向电压
反向偏 Vr---- --- PN结内建电压
势垒电容CT原理（图）
（2）扩散电容 CD
PN结外加正向偏置时，引起 扩散浓度梯度变化 出现的电容（电荷）效应。
扩散电容CD （图）
扩散电容CD
CD = △Q / △V
= (△Q n/ △V) + (△Qp/ △V)
≈ (△Q n/ △V) (对PN+结）
≈ (n I / △VT)

其中： n 为P区 非平衡载流子平均寿命。
I 为PN结电流。
结电容的量级
CT和 CD 均在PF量级：
CT 一般在几 ~ 几十PF。
CD 一般在几十 ~ 几百PF。
利用结电容可制成 变容二极管。
（3）PN结电容和结电阻综合考虑
两者是并联关系：
正向时，电阻小，电容效应不明显。
反向时，电阻大，电容效应明显。
故 电容效应主要在反偏时才考虑。
PN结电容和结电阻综合考虑（图）
r
c
PN结击穿特性
当对PN结 外加反向电压超过一定的限度，PN结会从反向截止发展到反向击穿。
反向击穿破坏了PN结的单向导电特性。
利用此原理可以制成 稳压管。
PN结击穿特性（图）
PN结击穿
PN结击穿有 两种
热击穿
电击穿
1、电击穿
电击穿是 可逆的（可恢复，当有限流电阻时）。
电击穿有两种机理机理 可以描述：
雪崩击穿
齐纳击穿
（1）雪崩击穿
特点如下：
低掺杂，
PN结宽，
正温系数，
常发生于大于7伏电压的击穿时（雪崩效应）
（2）齐纳击穿
特点如下：
高掺杂，
PN结窄，
负温系数，
常发生于小于5伏电压的击穿时（隧道效应）
特殊情况
在（ 5~7）V击穿发生时，两种击穿机理都有。
温度系数可达到最小。
，表现为负温度系数，，表现为正温度系数。
2、热击穿
电击穿后如无限流措施，将发生热击穿现象。
热击穿会破坏PN结结构（烧坏）
热击穿是 不可逆 的。
二次击穿
除以上击穿现象外，还有一种特殊的击穿现象，即 二次击穿。
二次击穿的 特点是管子不发热。
二次击穿是 不可逆 的。
第二章 DB3基本知识
DB3简介与工作原理
DB3技术要求
DB3工艺过程
DB3简介
双向触发二极管亦称二端交流器件（DIAC），主要在电子节能灯、电子镇流器或其它无线电路中作触发用。近年来，随着国内电子节能灯的日趋普及，双触发二极管的用量逐渐增大。
DB3外观与封装
目前我们使用的DB3有两种封装：
A-405（塑封）与DO-35（玻封）
兰色：ST
DO-35 乐山（本体标识：DB30）
红色：
晶横（本体标识：DB3）
A-405： 黑色
塑封DB3内部结构
DO-35玻封DB3内部结构
两种结构比较
DO-35优点：具有耐热性、可靠性、低损耗、不燃性和小型轻量化等突出优点 。
DO-41优点：抗机械强度高、电流冲击能力大等。
DO-35缺点：抗机械强度不高、受热会使信号断续，容易出现前期失效。
DO-41缺点：热稳定性差，使用后期容易出现失效。
因此，一般大功率和长寿命的节能灯都采用DO-35玻封结构（带罩灯）
DB3技术指标
1、触发电压
DB3的触发电压由材料片的电阻率来决定，电阻率高则DB3的触发电压也高；反之，则DB3的触发电压就低。
MIN：28V MAX：36V
VBO-T关系曲线
从曲线中可以看出VBO随温度的增加而增加，在110℃左右达到最大值。
2、动态转折电压ΔV
定义：ΔV=VBO-VF，VBO为触发电压， VF为IF在10mA处的电压。
VBO与ΔV的关系
a、DB3的触发电压由材料片的电阻率 来决定
b、DB3结构类似与一个简单的NPN型三极管，其回弹电压深度取决于扩散时的浓度大小和扩散后形成的基区宽度，该两点受到公司工艺条件的控制，不易