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光电探测器偏置电路.ppt


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文档列表 文档介绍
光电探测器偏置电路课件
第1页,本讲稿共59页
光电探测器的偏置电路
偏置:在探测器上加一定的偏流和偏压使探测器能在电状态正常工作,输出光电信号。
目的:取出光电信号。
偏置电路的设计依据:器件的伏安特性
同晶体管加电,主要的设计工作是电路静态工作点的计算。

第24页,本讲稿共59页
(一)反偏下光电二极管的偏置电路分析与计算

基本电路
PD
b
V
b
R
V
第25页,本讲稿共59页
TN线的确定:当I=0时,V=Vb(N点); V=0(T点)
连接NT,称为负载线,因为它与电压轴的夹角决定了负载电阻RL 。
第26页,本讲稿共59页
由于串联回路中流过多元件的电流相等,负载线和它的伏安特性曲线的交点Q即为输入电路的静态工作点。
当输入光通量由Φ0作±ΔΦ改变时,在负载电阻上会产生±ΔV电压输出和±ΔIQ的电流信号输出。
第27页,本讲稿共59页
利用图解法可定性的求出电路参数RL和Vb对输出信号的影响。
由图可知:随Rb增大,信号电压变大,超过M点产生畸变 。
M
第28页,本讲稿共59页
同时,随Vb↑线性改善。但功耗加大,过大的Vb会引起PD反向击穿。在利用图解法确定输入电路的RL和Vb时,应根据输入光通量的变化范围和输出信号的幅度要求,使负载线稍高于转折M,并保证Vb不大于最高工作电压Vmax。
第29页,本讲稿共59页
例:用2DU测缓变辐射通量。已知2DU的电流灵敏度 ,在测光范围中最大辐射通量100μW,伏安特性曲线的拐点电压VM=10V,若电源电压Vb=15V。
要求负载线建立在线性区内。求:
(1)保证输出电压最大时的Rbmax=?
(2)辐射通量变化10μW时,输出电压的
变化量。
第30页,本讲稿共59页
解:依题画出如下简图
(1)为保证2DU工作于线性区且Rb最大,过拐点作负载线,则:
(2)输出电压 :
第31页,本讲稿共59页
折线化伏安特性可用下列参数确定:
:对应曲线转折点处的电压值。
:相当于非线性部分直线的初始斜率。
:是线性工作区间内个平行直线的平均斜率。
S

第32页,本讲稿共59页
在输入光通量的变化范围Φmin—Φmax为已知条件下,用解析法计算输入电路的工作状态可按下列步骤进行。
1)确定线性工作区域
由转折点M确定线性工作区域,相应的转折电压或初始电导值G0中的几何关系决定。
在MV0上有

第33页,本讲稿共59页
2)计算偏置电阻Rb、偏压Vb。
为保证最大线性输出条件,负载线和由Φmax对应的伏安曲线的交点不能低于M点。
G0V0=Gb(Vb-V0)
设负载线拐点M点,由图可得
第34页,本讲稿共59页
当Vb已知时,则 :
当Rb已知时,有
第35页,本讲稿共59页
3)计算输出电压幅度
由图可知:在ΔΦ时,
其中Vmax和V0可由图中M和H点的电流值计算得到。
由H点:
由M点:
上式表明输出电压幅度与ΔΦ 、S成正比,与结间漏电导G和G0成反比。
第36页,本讲稿共59页
4)计算输出电流幅度
由图可知:
通常Gb >>G,上式简化为ΔI=SΔΦ
5)计算输出功率
第37页,本讲稿共59页
(二)光生电势型探测电路的静态计算
Id :与温度有关的二极管结电流
光电流
开路电压
电流-电压特性方程
短路电流
第38页,本讲稿共59页


则:
得:
室温时 T=300K ,则 :
利用上式,可在已知Φ、Voc时,计算另一 Φˊ下的 Vocˊ
第39页,本讲稿共59页

由伏安曲线,对于给定的Φ0,只要选定RL,工作点就能由负载线与光电池相应伏安曲线的交点决定。该点的IQ和VQ即为RL上的输出值。
由图知:对应相同的ΔΦ=Φ1―Φ2,
当RL< RLS(临界电阻)时,IQ、VQ与ΔΦ呈线性;
当RL> RLS时,呈非线性,在检测电路中往往希望线性。
第40页,本讲稿共59页
计算临界电阻RLS
由给定的Φmax,利用
算出VOC。

交于S点,得到临界

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  • 时间2022-01-27