光刻工艺介绍.ppt

Lithography
光刻工艺介绍
基本工艺流程
前工序
涂胶（Coating）
前处理（Priming）
涂胶（Apply）
软烘（Soft Bake）
曝光（Exposure）
显影（Developing据曝光光源分类
光学曝光
软X射线曝光
电子束曝光
离子束曝光
设备名称介绍
NSR2005G8C
NSR —— NIKON Step and Repeat Exposure System
20 —— Max. Exposure Field is 20mm Square
05 —— Reduction Ratio is 1/5
G —— G-Line is Used as Exposure Light Source
8 —— Body Type Number
C —— Projection Lens Type
Step and repeat
视场
Field
20mm
15mm
Φ(mm)


Max. Width
20000 × 20000
15080 × 14940
Max. Length
19166 × 20400
9300 × 18860
Square
20000 × 20000
15010 × 15010
NIKON机光路图
椭球体 ***灯 快门 滤光镜 蝇眼积分器 聚光镜
聚光镜 挡板
光刻版
光学镜头
园片
Mask Pellicle
Pattern
Pellicle
Glass
主要性能参数
k : 工艺系数
kMIN =
NA : 数值孔径
λ: 光源波长
G-line (436nm)、
I-line (365nm)、
KrF (248nm)、
ArF、F2、…………
数值孔径 Numerical Aperture
NA: 描述多光学元件透镜系统的性能
f
D
n: 透镜折射率
2α: 像点张角
D: 透镜直径
f: 透镜焦距
衍射角
成像过程
离轴照明
离轴照明
Defocus 的影响
+ 0 -
焦深 Depth Of Focus
A plus or minus deviation from a defined reference plane wherein the required resolution for photolithography is still achievable.
IDOF、UDOF
主要性能参数
型号
NA
λ
R
(k=)
R
(k=)
DOF
1505G7D

436nm



1505I7A

365nm



1505G6E

436nm



2005G8C

436nm



2005I8B

365nm



2005I10C
~
365nm



2005I11D
~
365um



Focus-Exposure Matrix
Evaluating the effects of focus and exposure on the results of a projection lithography system
(such as a stepper) is a critical part of understanding and controlling a lithographic process.
UnderExposed
OverExposed
工艺窗口 Process Window
Critical Dimension
±10%
Sidewall Angle
80°
Resist Loss
10%
Defocus 产生的原因
Particle
Edge, OF Effec