QT2晶体管图示仪使用方法介绍.doc

QT2晶体管图示仪使用方法介绍
Lab one QT2
一、实验目的
熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法,学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。在不损坏器件的情况下,测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导档;3kV高压测试按钮[28];3kV高压输出插座[29]。
(7 测试控制器
测试插孔B[30]、A[31];测试选择开关[32],其中零电压钮用来校正阶梯信号作电压源输出时其起始级的零电压,该钮按入时被测管的栅极接地,零电流钮按入时被测管的基极开路,A 钮按入时A 测试插孔接通,B 钮同理,全部弹出时同时测试比较两个管子。
(8 其它
1Vp-p 校正信号输出插孔[34];-p 校正信号输出插孔[35];Y 轴输入插孔[36];X 轴输入插孔[37];电源插座[38];CT 测试端[39];CT 地[40]。 四、实验仪器及测试器件:
YB4801A 晶体管特性图示仪,硅NPN 三极管9014,N 沟耗尽型场效应管3DJ7F ,硅NPN 三极管2SC1815,硅整流二极管1N4007,锗二极管(锗三极管3AX22代替, 和1W 12V 。 五、实验内容及步骤:
三极管9014的共发射极输出特性(IC -VCE

峰值电压调为0, 按图插上三极管9014
峰值电压范围:0~20V ; 极性:+ 功耗电阻:250Ω
X 轴 集电极电压1V/度 (V CE Y 轴 集电极电流1mA/度 (I C 阶梯信号:重复; 极性:+ 阶梯电流:10μA/级 (I B 峰值电压调大至合适位置。
测试并画出I C -V CE 特性曲线, 并分别标出放大区、截止区、饱和 区和击穿区。
E
B
C
QT 2 使用方法介绍 2．测量硅 NPN 三极管 9014 的共发射极直流电流增益 β（hFE） E B C 峰值电压调为 0， 按图插上三极管 9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X 轴 基极电流 （阶梯信号） Y 轴 集电极电流 1mA/度 （IC） 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电流：10μA/级 （IB） 峰值电压调大至合适位置。 测试并求出 β 值。 3．测量硅 NPN 三极管 9014 的共发射极输入特性（IB－VBE） E B C 峰值电压调为 0， 按图插上三极管 9014 峰值电压范围：0~20V； 极性：+ 功耗电阻：250Ω X 轴 集电极电压 （实际为 VBE） Y 轴 集电极电流 2mA/度 （实际为 IB） 阶梯信号：重复； 极性：+ 阶梯电压： （VCE） 峰值电压调大至合适位置。 测试并画出 IB－VBE 特性曲线。 -6-
QT 2 使用方法介绍 4．测量硅 NPN 三极管 9014 的共基极输出特性（IC－VCB） Vcc E B C 峰值电压调为 0， 按图插上三极管 9014 Vi Vo 峰值电压：0~20V，极性：+ 功耗电阻：250Ω X 轴 集电极电压 1V/度 （实际为 VCB） Y 轴 集电极电流 1mA/度 （IC） 阶梯信号：重复； 极性：－ 阶梯电流：1mA/级 （IE） 峰值电压调大至合适位置。 测试并画出 IC－VCB 特性