薄膜材料的制备.doc

, 薄膜在微电子、光学、窗器、表面改性等方面的应用日益广泛; 而薄膜产业的日趋壮大又刺激了薄膜技术和薄膜材料的蓬勃发展。面对新技术革命提出的挑战, 无机薄膜材料的制备方法也日新月异, 与以往的制膜方法相比有了新的特点, 方法也向着多元化的方向发展。这篇综述主要介绍了:薄膜材料的制备、举例发光薄膜的制备以及薄膜材料的发展前景。:;;;; ; 。§1薄膜材料基础 ,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料) 的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面,在衬底材料表面形成一层新的物质,这层新物质就是薄膜。简而言之,薄膜是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。 (1)物态:气态、液态、固态( thin-solid-film )。(2 )结晶态: A 非晶态:原子排列短程有序,长程无序。 B 晶态:a 单晶:外延生长,在单晶基底上同质和异质外延; b多晶:在一衬底上生长,由许多取向相异单晶集合体组成。(3)化学角度:有机和无机薄膜。( 4)组成:金属和非金属薄膜。(5 )物性:硬质、声学、热学、金属导电、半导体、超导、介电、磁阻、光学薄膜。薄膜的一个重要参数: a 厚度,决定薄膜性能、质量; b 通常,膜厚小于数十微米,一般在 1微米以下。 20世纪 60年代。是新理论、高技术高度结晶的产物。(1)主要的薄膜产品: 光学薄膜、集成电路、太阳能电池、液晶显示膜、光盘、磁盘、***硬化膜、建筑镀膜制品、塑料金属化制品。(2)薄膜是现代信息技术的核心要素之一: 薄膜材料与器件结合,成为电子、信息、传感器、光学、太阳能等技术的核心基础。 (1)代表性的制备方法按物理、化学角度来分,有: a物理成膜 PVD 、b化学成膜 CVD ( 2)具体制备方法如下表流程图: § 2薄膜的形成机理 ,制膜技术的发展也十分迅速。制膜方法—分为物理和化学方法两大类;具体方式上—分为干式、湿式和喷涂三种,而每种方式又可分成多种方法。 : (1) 核生长型( Volmer Veber 型) :这种生长的特点是到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核,后续的沉积原子不断聚集在核附近,使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。核生长型薄膜生长的四个阶段: :在此期间形成许多小的晶核,按同济规律分布在基片表面上; :这些岛常具有小晶体的形状; ; d. 沟道被填充:在薄膜的生长过程中,当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后,另外再撞击的离子不会形成新的晶核,而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配时出现。大部分的薄膜的形成过程属于这种类型。(2) 层生长型( Frank-Vanber Merwe 型) :特点:沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层,然后再在三维方向上生长第二层、第三层……。一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积原子相互之间键能的情况下(共格)发生这种生长方式的生长。以这种方式形成的薄膜,一般是单晶膜,并且和衬底有确定的取向关系。例如在 Au 衬底上生长 Pb单晶膜、在 PbS 衬底上生长 PbSe 单晶膜等。(3) 层核生长型( Straski Krastanov 型:特点:生长机制介于核生长型和层生长型的中间状态。当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下(准共格)多发生这种生长方式的生长。在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式的生长。例如在 Ge 表面上沉积 Cd ,在 Si表面上沉积 Bi、 Ag 等都属于这种类型。§3物理气相沉积 1、定义: 物理气相沉积:( Physical Vapor Deposition , PVD )利用某种物理过程,如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象,实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。 2、特点(相对于化学气相沉积而言): (1)需要使用固态的或熔融态物质作为沉积过程的源物质; ( 2)源物质经过物理过程而进入气相; (3)需要相对较低的气体压力环境; (4)在气相中及沉底表面并不发生化学反应。 、离子镀和溅射沉积法三个方面进行说明: (1 )真空蒸发法:把装有基片的真空室抽成真空,使气体压强达到 10-2Pa 以下,然后加热镀料,使其