衬底温度对中频磁控溅射zno_al透明导电薄膜性能的影响_黄宇.doc

------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————衬底温度对中频磁控溅射 ZnO_A l 透明导电薄膜性能的影响_ 黄宇第 27 卷第 5期 2006 年9 月兵工学报 衬底温度对中频磁控溅射 ZnOBAl 透明导电薄膜性能的影响黄宇 1,2, 熊强, 薛俊明, 马铁华, 孙建, 赵颖, 耿新华 31 河北省信息产业厅唐山无线电管理分局, 河北唐山 063000)321222(11 中北大学电子工程系, 仪器科学与动态测试教育部重点实验室, 山西太原 030051;21 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所, 光电信息技术科学教育部重点实验室, 天津 30 0071; 摘要:ZnOBAl(ZAO) 薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关, 以掺杂质量 2%A l的 Zn( 纯度 %) 金属材料做靶, 采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对 ZnO 透明导电薄膜性能的影响, 获得适合太阳电池的高效能薄膜, 薄膜厚度 700n m 左右, 其电阻率为 ******@10-48#cm, 载流子浓度 ******@10cm 均透过率大于 85%. 移率中图分类号:TM914142+20-3, 霍尔迁移率 6119cm/(V#s), 可见光范围内( 波长 400~800nm) 的平 2 关键词: 凝聚态物理学; 中频磁控溅射;ZnOBAl(ZAO) 薄膜; 衬底温度; 载流子浓度; 霍尔迁文献标志码:A 文章------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————编号:1000-1093(2006)05-0891-04SubstrateTemperatureDependenceofthe PropertiesofZnOBAlThin FilmsPreparedbyMid-frequencySputtering HUANGYu,XIONGQiang,XUEJun-ming,MATie-hua, 222SUNJian,ZHAOYing,GENGXin-hua (11KeyLabofInstrumentationScienceandDynamicMeasurementofMinistry ofEducation,DepartmentofElectronicEngineering,NorthUniversityofChina, Taiyuan030051,Shanxi,China;21KeyLaboratoryofOptoelectronic InformationScienceandTechnology,ChineseMinistryofEducation,Institute ofPhoto-ElectronicThinFilmDevicesandTechniqueofNa