CMOS图像传感器的基本原理及设计.doc

CMOS 图像传感器的基本原理及设计 1 引言 20 世纪 70 年代, CCD 图像传感器和 CMOS 图像传感器同时起步。 CC D 图像传感器由于灵敏度高、噪声低, 逐步成为图像传感器的主流。但由于工艺上的原因, 敏感元件和信号处理电路不能集成在同一芯片上, 造成 D 图像传感器组装的摄像机体积大、功耗大。 CMOS 图像传感器以其体积小、功耗低在图像传感器市场上独树一帜。但最初市场上的 CMOS 图像传感器, 一直没有摆脱光照灵敏度低和图像分辨率低的缺点, 图像质量还 D 图像传感器相比。如果把 CMOS 图像传感器的光照灵敏度再提高 5 倍~ 10倍, 把噪声进一步降低, CMOS D 图像传感器的水平, 同时能保持体积小、重量轻、功耗低、集成度高、价位低等优点,如此, CMOS D 图像传感器就会成为事实。由于 CMOS 图像传感器的应用, 新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展, 并且随着经济规模的形成, 其生产成本也得到降低。现在, CMO S D 图像传感器相媲美, 这主要归功于图像传感器芯片设计的改进, 以及亚微米和深亚微米级设计增加了像素内部的新功能。实际上,更确切地说, CMOS 图像传感器应当是一个图像系统。一个典型的 CMOS 图像传感器通常包含: 一个图像传感器核心( 是将离散信号电平多路传输到一个单一的输出,D 图像传感器很相似) ,所有的时序逻辑、单一时钟及芯片内的可编程功能,比如增益调节、积分时间、窗口和模数转换器。事实上,当一位设计者购买了 CMOS 图像传感器后, 他得到的是一个包括图像阵列逻辑寄存器、存储器、定时脉冲发生器和转换器在内的全部系统。 D 图像系统相比, 把整个图像系统集成在一块芯片上不仅降低了功耗, 而且具有重量较轻, 占用空间减少以及总体价格更低的优点。 2 基本原理从某一方面来说, CMOS 图像传感器在每个像素位置内都有一个放大器,这就使其能在很低的带宽情况下把离散的电荷信号包转换成电压输出,而且也仅需要在帧速率下进行重置。 CMOS 图像传感器的优点之一就是它具有低的带宽, 并增加了信噪比。由于制造工艺的限制, 早先的 CMO S 图像传感器无法将放大器放在像素位置以内。这种被称为 PPS 的技术,噪声性能很不理想,而且还引来对 CMOS 图像传感器的种种干扰。然而今天, 随着制作工艺的提高, 使在像素内部增加复杂功能的想法成为可能。现在, 在像素位置以内已经能增加诸如电子开关、互阻抗放大器和用来降低固定图形噪声的相关双采样保持电路以及消除噪声等多种附加功能。实际上,在 Conexant 公司(前 Rockwell 半导体公司) 的一台先进的 CMOS 摄像机所用的 CMOS 图传感器上, 每一个像素中都设计并使用了6 个晶体管, 测试到的读出噪声只有 1 均方根电子。不过, 随着像素内电路数量的不断增加, 留给感光二极管的空间逐渐减少, 为了避免这个比例( 又称占空因数或填充系数) 的下降, 一般都使用微透镜, 这是因为每个像素位置上的微小透镜都能改变入射光线的方向, 使得本来会落到连接点或晶体管上的光线重回到对光敏感的二极管区域。因为电荷被限制在像素以内, 所以 CMOS 图像传感器的另一个固有的优点就是它的防光晕特性。在像素位置内产生的电压先是被切换到一个纵列的缓冲区内, 然后再被传输到输出放大器中, 因此不会发生传输过程中的电荷损耗以及随后产生的光晕现象。它的不利因素是每个像素中放大器的阈值电压都有细小的差别, 这种不均匀性就会引起固定图像噪声。然而, 随着 CMOS 图像传感器的结构设计和制造工艺的不断改进, 这种效应已经得到显著弱化。这种多功能的集成化, 使得许多以前无法应用图像技术的地方现在也变得可行了, 如孩子的玩具, 更加分散的保安摄像机、嵌入在显示器和膝上型计算机显示器中的摄像机、带相机的移动电路、指纹识别系统、甚至于医学图像上所使用的一次性照相机等, 这些都已在某些设计者的考虑之中。 3 设计考虑然而,这个行业还有一个受到普遍关注的问题,那就是测量方法,具体指标、阵列大小和特性等方面还缺乏统一的标准。每一位工程师在比较各种资料一览表时, 可能会发现在一张表上列出的是关于读出噪声或信噪比的资料, 而在另一张表上可能只是强调关于动态范围或最大势阱容量的资料。因此, 这就要求设计者们能够判断哪一个参数对他们最重要, 并且尽可能充分利用多产品的 CMOS 图像传感器家族。一些关键的性能参数是任何一种图像传感器都需要关注的, 包括信噪比、动态范围、噪声(固定图形噪声和读出噪声) 、光学尺寸以及电压的要求。应当知道并用来对比的重要参数有: 最大势阱容量、各种工作状态下的读出噪声、量子效率以及暗电流, 至于信噪比之类的其它参数都是由那些基本量度推导出来的