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RFID 封装 RFID 芯片封装技术介绍 芯片设计技术 7 u8 m) I8 _6 n:t 按照能量供给方式的不同, RFID 标签可以分为被动标签, 半主动标签和主动标签, 其中半主动标签和主动标签中芯片的能量由电子标签所附的电池提供,主动标签可以主动发出射频信号。按照工作频率的不同, RFI D 标签可以分为低频(LF) 、高频(HF) 、超高频(UHF) 和微波等不同种类。不同频段的 RFID 工作原理不同, LF和 HF 频段 RFID 电子标签一般采用电磁耦合原理,而 UHF 及微波频段的 RFID 一般采用电磁发射原理。不同频段标签芯片的基本结构类似, 一般都包含射频前端、模拟前端、数字基带和存储器单元等模块。其中, 射频前端模块主要用于对射频信号进行整流和反射调制;模拟前端模块主要用于产生芯片内所需的基准电源和系统时钟, 进行上电复位等; 数字基带模块主要用于对数字信号进行编码解编码以及进行防碰撞协议的处理等;存储器单元模块用于信息存储。目前, 发达国家在多种频段都实现了 RFID 标签芯片的批量生产, 模拟前端多采用了低功耗技术,无源微波 RFID 标签的工作距离可以超过 1米, 无源超高频 RFID 标签的工作距离可以达到 5 米以上, 功耗可以做到几个微瓦,批量成本接近十美分。射频标签的通信标准是标签芯片设计的依据, 目前国际上与 RFID 相关的通信标准主要有:ISO/IEC 18000 标准(包括 7 个部分,涉及 125KHz, , 433MHz, 860 - 960MHz, 等频段), ISO11785 ( 低频), ISO/IEC 14443 标准( ), ISO/IEC 15693 标准( ), EPC 标准( 包括 Class0, Class1 和 GEN2 等三种协议,涉及HF和 UH F 两种频段) ,DSR C 标准(欧洲 ETC 标准,含 )。目前电子标签芯片的国际标准出现了融合的趋势, ISO/IEC 15693 标准已经成为 ISO18000 -3 标准的一部分, EPC GEN2 标准也已经启动向 ISO18000 -6 Part C 标准的转化。: Q8 v% \4Y O! J9 r!x 中国在 LF和 HF 频段 RFID 标签芯片设计方面的技术比较成熟, HF 频段方面的设计技术接近国际先进水平, 已经自主开发出符合 ISO14443 Type A、 Type B和 ISO15693 标准的 RFID 芯片, 并成功地应用于交通一卡通和中国二代身份证等项目,与国际主要的差距存在于片上天线与芯片的集成上, 目前国内还没有相应的产品应用。国内在 UHF 和微波频段的标签芯片设计方面起步较晚,目前已经掌握 UHF 频段 RFID 标签芯片的设计技术, 部分公司和研究机构已经研发出标签芯片的样片, 但尚未实现量产。国内在 UHF 频段读写器 RF 芯片和系统芯片( SOC ) 的设计方面也具有一定的基础,但目前产品仍主要依赖于进口。在微波频段( 及 ), 国内有部分应用在公路不停车收费项目中, 相对于国外在这两个频段的技术水平,国内的研究还处于起步阶段,尚无相应产品。与国际先进水平相比