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嵌入式系统中Flash的种类与选择
(2010-01-0514:13:10)
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标签：分类：嵌入式
flash
嵌入式
nand闪存
nor
nand
it
嵌入式硬件系统一般都需要有软件的支持才能够正常工作，嵌入式闪存和需要特殊的系统接口。
性能比较
任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64〜128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反，擦除NAND器件是以8〜32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
NOR的读速度比NAND稍快一些。
NAND的写入速度比NOR快很多。
NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
AND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR闪存带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND闪存使用复杂的I/O口来串行地存取资料，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点
像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。
容量和成本
NAND闪存的单元尺寸几乎是NOR闪存的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR闪存占据了1〜16MB闪存市场的大部分，而NAND闪存只是用在8MB以上的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于资料存储,NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性
采用闪存介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND内存除了具有10：1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND内存块在给定的时间内的删除次数要少一些。
所有闪存器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM—统天下的局面。紧接着，1989年,东芝公司发表了NANDflash结构，强