材料科学基础选择题版资料.docx

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A)共价键向离子键(B)离子键向共价键
C)金属键向共价键(D)键金属向离子键
2、离子晶体中,因为离子的极化作用,平时使正负离子间的距离(B),离子配位数()。
A)增大,降低(B)减小,降低(C)减小,增大(D)增大,增大3、***化钠拥有面心立方结构,其晶胞分子数是(C)。
A)5(B)6(C)4(D)3
4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填补在Cl-所构成的(B)缝隙中。
(A)所有四周体(B)所有八面体(C)1/2四周体(D)1/2八面体
5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填补在Cl-所构成的(C)缝隙中。
(A)所有四周体(B)所有八面体(C)所有立方体(D)1/2八面体
6、MgO晶体属NaCl型结构,由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子构成,其一个单位晶胞中有(B)个MgO分子。
(A)2(B)4(C)6(D)8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方积聚,F-填补了(D)。
A)八面体缝隙的多数(B)四周体缝隙的多数
C)所有八面体缝隙(D)所有四周体缝隙
A)2(B)4(C)6(D)8
9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8,Cl-的配位数为(D)。
A)2(B)4(C)6(D)8
10、硅酸盐晶体的分类原则是(B)。
A)正负离子的个数(B)结构中的硅氧比
C)化学构成(D)离子半径
11、锆英石Zr[SiO4]是(A)。
(A)岛状结构(B)层状结构(C)链状结构(D)架状结构
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12、硅酸盐晶体中常有少许Si4+被Al3+代替,这类现象称为(C)。
A)同质多晶(B)有序—无序转变(C)同晶置换(D)马氏体转变
[SiO4]是(A)。
A)岛状结构(B)层状结构(C)链状结构(D)架状结构
14、对沸石、萤石、MgO三类晶体拥有的缝隙体积对比较,其由大到小的序次为(A)。
A)沸石>萤石>MgO(B)沸石>MgO>萤石(C)萤石>沸石>MgO(D)萤石>MgO>沸石
15、依据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为(B)。
A)2(B)4(C)6(D)8
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四周体,两个相邻的[SiO4]四周体之间只好(A)连接。
(A)共顶(B)共面(C)共棱(D)A+B+C
17、点缺点与资料的电学性质、光学性质、资料的高温动力学过程等有关,以下点缺点中属于本征缺点的是(D)。
(A)弗仑克尔缺点(B)肖特基缺点(C)杂质缺点(D)A+B
18、位错的(A)是指在热缺点的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果以致空位或缝隙原子的增值或减少。
(A)攀移(B)攀移(C)增值(D)减少
19、关于形成杂质缺点而言,低价正离子据有高价正离子地址时,该地址带有负电荷,为了保持电中性,会产生(D)。
(A)负离子空位(B)缝隙正离子(C)缝隙负离子(D)A或B
20、关于形成杂质缺点而言,高价正离子据有低价正离子地址时,该地址带有正电荷,为了保持电中性,会产生(D)。
(A)正离子空位(B)缝隙负离子(C)负离子空位(D)A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为(D)。
(A)稳固晶格(B)活化晶格(C)固溶增强(D)A+B+C
22、固溶体的特色是掺入外来杂质原子后本来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。固溶体有有限和无穷之分,此中(B)。
2
A)结构相同是无穷固溶的充要条件
B)结构相同是无穷固溶的必需条件,不是充分条件
C)结构相同是有限固溶的必需条件
D)结构相同不是形成固溶体的条件
23、缺点对晶体的性能有重要影响,常有的缺点为(D)。
(A)点缺点(B)线缺点(C)面缺点(D)A+B+C
24、依据晶体结构缺点形成的原由,可将晶体结构缺点的种类分为(D)。
(A)热缺点(B)杂质缺点(C)非化学计量缺点(D)A+B+C
25、晶体中的热缺点的浓度随温度的高升而增添,其变化规律是(B)。
(A)线性增添(B)呈指数规律增添(C)无规律(D)线性减少
26、缝隙式固溶体亦称填隙式固溶体,其溶质原子位于点阵的缝隙中。谈论形成缝隙型固溶体的条件须考虑(D)。
(A)杂质质点大小(B)晶体(基质)结构(C)电价要素(D)A+B+C27、位错的滑移是指位错在(A)作用下,在滑移面上的运动,结果以致永久形变。
(A)外力(B)热应力(C)化学力(D)结构应力
28、柏格斯矢量(BurgersVector)与位错线垂直的位错称为(A),其符号表示为()。
(A)刃位错;⊥(B)刃位错;VX(C)螺位错;(D)刃位错;
29、热缺点亦称为本征缺点,是指由热起伏的原由所产生的空位或缝隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺点(Schottkydefect)时,(B)。
A)正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时陪同晶体体积的减小
B)正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时陪同晶体体积的增添
C)正离子空位和负离子缝隙是同时成对产生的,同时陪同晶体体积的增添
D)正离子缝隙和负离子空位是同时成对产生的,同时陪同晶体体积的增添
30、热缺点亦称为本征缺点,是指由热起伏的原由所产生的空位或缝隙质点(原子或离子)。生成弗仑克尔缺点(Frenkeldefect)时,(A)。
A)缝隙和空位质点同时成对出现
B)正离子空位和负离子空位同时成对出现
C)正离子缝隙和负离子缝隙同时成对出现
3
(D)正离子缝隙和位错同时成对出现
31、位错的拥有重要的性质,以下说法不正确的选项是(C)。
A)位错不必定是直线(B)位错是已滑移区和未滑移区的界限
C)位错可以中断于晶体内部(D)位错不可以中断于晶体内部
32、位错的运动包含位错的滑移和位错的攀移,此中(A)。
A)螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移
B)刃位错只作滑移,螺位错只作攀移
C)螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移
D)螺位错只作滑移,刃位错只作攀移
33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度(数目)受(D)要素的影响。
(A)构成(B)温度(C)时间(D)A+B+C
34、当熔体构成不变时,随温度高升,低聚物数目(C),粘度()。
A)降低;增添(B)不变;降低(C)增添;降低(D)增添;不变
35、当温度不变时,熔体构成的O/Si比高,低聚物(C),粘度()。
A)降低;增添(B)不变;降低(C)增添;降低(D)增添;不变
36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si高升而(B),随温度降落而()。
A)增大,降低(B)降低,增大(C)增大,增大(D)降低,降低
37、由结晶化学看法知,拥有(A)的氧化物简单形成玻璃。
A)极性共价键(B)离子键(C)共价键(D)金属键
38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为(D)。
A)1(B)2(C)3(D)4
39、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的桥氧数为(B)。
A)(B)3(C)(D)4
40、假如在熔体中同时引入一种以上的R2O时,粘度比等量的一种R2O高,这类现象为(B)。
(A)加和效应(B)混淆碱效应(C)中和效应(D)交织效应
41、对一般硅酸盐熔体,随温度高升,表面张力将(A)。
(A)降低(B)高升(C)不变(D)A或B
4
42、熔体的构成对熔体的表面张力有很重要的影响,一般状况下,O/Si减小,表面张力将(A)。
A)降低(B)高升(C)不变(D)A或B
43、由熔融态向玻璃态转变的过程是(C)的过程。
A)可逆与突变(B)不可以逆与渐变
C)可逆与渐变(D)不可以逆与突变
44、当构成变化时,玻璃的物理、化学性质随成分变化拥有(C)。
(A)突变性(B)不变性(C)连续性(D)A或B
45、熔体构成对熔体的表面张力有重要的影响,一般状况下,O/Si减小,表面张力将(A)。
(A)降低(B)高升(C)不变(D)A或B
46、不一样氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值(Tg/TM)凑近(B)易形成玻璃。
(A)二分之一(B)三分之二(C)四分之一(D)五分之一
47、可用三T(Time-Temperature-Transformation)曲线来谈论玻璃形成的动力学
条件,三T曲线前端即鼻尖对应析出10-6体积分数的晶体的时间是最少的,
由此可得出形成玻璃的临界冷却速率,平时,该临界冷却速率愈大,则系统形成
玻璃(A)。
(A)愈困难(B)愈简单(C)质量愈好(D)质量愈差
48、不一样O/Si比对应着必定的齐聚负离子团结构,形成玻璃的偏向大小和熔体
中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低,形成玻璃(A)。
(A)越不简单(B)越简单(C)质量愈好(D)质量愈差
49、当熔体中负离子企业以(C)的歪曲链状或环状方式存在时,对形成玻璃有
利。
(A)低聚合(B)不聚合(C)高聚合(D)A或C
25、桥氧离子的均匀数Y是玻璃的结构参数,玻璃的很多性质取决于Y值。在
形成玻璃范围内,随Y的增大,粘度(D),膨胀系数()。
A)增大;不变(B)降低;增大(C)不变;降低(D)增大;降低
50、关于实质晶体和玻璃体,处于物体表面的质点,其境遇和内部是不一样的,表面的质点处于(A)的能阶,所以致使资料表现一系列特别的性质。
5
(A)较高(B)较低(C)相同(D)A或C
51、因为固相的三维周期性在固体表面处忽然中断,表面上原子产生的有关于正常地址的上、下位移,称为(B)。
(A)表面缩短(B)表面弛豫(C)表面滑移(D)表面扩大
52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等,一般说来,同一种物质,其固体的表面能(B)液体的表面能。
(A)小于(B)大于(C)小于等于(D)等于
53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内(),垂直方向的层间距与体内(A)。
(A)不一样;相同(B)相同;相同(C)相同;不一样(D)不一样;不一样
54、粘附剂与被粘附体间相溶性(C),粘附界面的强度()。
A)越差;越坚固(B)越好;越差(C)越好;越坚固(D)越好;不变
55、离子晶体MX在表面力作用下,极化率小的正离子应处于稳固的晶格地址,
易极化的负离子受引诱极化偶极子作用而挪动,从而形成表面(C,这类重排的结果使晶体表面能量趋于稳固。
A)缩短(B)弛豫(C)双电层(D)B+C
56、表面微裂纹是因为晶体缺点或外力作用而产生,微裂纹相同会激烈地影响表面性质,关于脆性资料的强度这类影响尤其重要,微裂纹长度(),断裂强度(A)。
A)越长;越低(B)越长;越高(C)越短;越低(D)越长;不变
57、界面对资料的性质有侧重要的影响,界面拥有(D)的特征。
A)会引起界面吸附(B)界面上原子扩散速度较快
C)对位错运动有阻拦作用(D)A+B+C
58、只要液体对固体的粘附功(B)液体的内聚功,液体即可在固体表面自觉睁开。
(A)小于(B)大于(C)小于等于(D)等于
59、当液体对固体的润湿角θ<90°时,即在润湿的前提下,表面粗糙化后,液体与固体之间的润湿(C)。
(A)更难(B)不变(C)更易(D)A或B
60、当液体对固体的润湿角θ>90°时,即在不润湿的前提下,表面粗糙化后,
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液体与固体之间的润湿(A)。
(A)更难(B)不变(C)更易(D)A或B
61、粘附功数值的大小,标记着固-液两相辅展结合的坚固程度,粘附功数值(B),固-液两相互相结合();相反,粘附功越小,则越易分别。
A)越大;越松懈(B)越大;越坚固(C)越小;越坚固(D)越大;不
变
62、为了提升液相对固相的润湿性,在固-气和液-气界面张力不变时,一定使液-固界面张力(B)。
A)降低(B)高升(C)保持不变(D)有时高升,有时降低
63、关于附着润湿而言,附着功表示为W=γSV+γLV-γSL,依据这一原理,(A)才能使陶瓷釉在坯体上附着坚固。
A)尽量采纳化学构成周边的两相系统
B)尽量采纳化学构成不一样的两相系统
C)采纳在高温时不发生固相反应的两相系统
D)前三种方法都不可以
64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去,则外加组分在表面层的浓度(C)体积内部的浓度。
(A)等于(B)大于(C)小于(D)A或B
65、表面微裂纹是因为晶体缺点或外力作用而产生,微裂纹相同会激烈地影响表
面性质,关于脆性资料的强度这类影响尤其重要,微裂纹长度(A),断裂强度()。
A)越长;越低(B)越长;越高(C)越短;越低(D)越长;不变
66、吸附膜使固体表面张力(B)。
A)增大(B)减小(C)不变(D)A或B
67、粗糙度对液固相润湿性能的影响是:C
A)固体表面越粗糙,越易被润湿
B)固体表面越粗糙,越不易被润湿
C)不必定
D)粗糙度对润湿性能无影响
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68、以下关于晶界的说法哪一种是错误的。A
A)晶界上原子与晶体内部的原子是不一样的
B)晶界上原子的积聚较晶体内部松懈
C)晶界是原子、空位快速扩散的主要通道
D)晶界易受腐化
69、相均衡是指在多相系统中,物质在各相间分布的均衡。相均衡时,各相的构成及数目均不会随时间而改变,是(C)。
(A)绝对均衡(B)静态均衡(C)动向均衡(D)临时均衡
70、二元凝聚系统均衡共存的相数最多为3,而最大的自由度数为(A)。
A)2(B)3(C)4(D)5
71、热解析法是相均衡的研究方法之一,其原理是依据系统在冷却过程中温度随
时间的变化状况来判断系统中能否发生了相变化,该方法的特色是(D)。
A)简略(B)测得相变温度仅是一个近似值
C)能确立相变前后的物相(D)A+B
72、淬冷法是相均衡的研究的动向方法,其特色是(D)。
A)正确度高(B)适用于相变速度慢的系统
C)适用于相变速度快的系统(D)A+B
73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象,多晶转变温度(A)两种晶型的熔点。(A)低于(B)高于(C)等于(D)A或B
74、不可以逆多晶转变的多晶转变温度(B种晶型的熔点。
(A)低于(B)高于(C)等于(D)A或B
75、在热力学上,每一个稳固相有一个稳固存在的温度范围,超出这个范围就变为介稳相。在必定温度下,稳固相拥有(C)的蒸汽压。
(A)最高(B)与介稳相相等(C)最低(D)A或B
76、多晶转变中存在阶段转变定律,系统由介稳状态转变为稳固态不是直接完成的,而是挨次经过中间的介稳状态,最后变为该温度下的稳固状态。最后存在的晶相由(D)决定。
A)转变速度(B)冷却速度(C)成型速度(D)A与B
77、二元凝聚系统的相图中,相界线上的自由度为(C)。
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A)3(B)2(C)1(D)0
78、依据杠杠规则,在二元凝聚系统的相图中,假如一个总质量为M的相分解为质量G1和G2的两个相,则生成两个相的质量与原始相的构成到两个重生相的构成点之间线段(B。
(A)成正比(B)成反比(C)相等(D)A或C79、三元相图中,相界线上的自由度为(C)。
A)3(B)2(C)1(D)0
80、固体中质点的扩散特色为:(D)。
(A)需要较高温度(B)各向同性(C)各向异性(D)A+C
81、在离子型资猜中,影响扩散的缺点来自两个方面:热缺点与不等价置换产生的点缺点,后者引起的扩散为(C)。
A)互扩散(B)无序扩散(C)非本征扩散(D)本征扩散
82、固体中质点的扩散特色为:D
A)需要较高温度(B)各向同性(C)各向异性(D)A+C
83、扩散之所以能进行,在实质上是因为系统内存在(A)。
A)化学位梯度(B)浓度梯度(C)温度梯度(D)压力梯度
84、固溶体的种类及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大影响。则H、C、Cr在γ-Fe中扩散的活化能的大小序次为(B)。
A)QH>QC>QCr(B)QCr>QC>QH(C)QC>QH>QCr(D)QCr>QH>QC
85、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在(A)的关系。
A)Ds>Dg>Db(B)Db<Dg<Ds(C)Dg>Ds>Db(D)Dg<Ds<Db
86、在离子型资猜中,影响扩散的缺点来自两个方面:热缺点和混淆点缺点。由它们引起的扩散分别称为(B)。
A)自扩散和互扩散(B)本征扩散和非本征扩散
C)无序扩散和有序扩散(D)稳固扩散和不稳固扩散
87、稳固扩散(稳态扩散)是指在垂直扩散方向的任一平面上,单位时间内经过该平面单位面积的粒子数(B)。
(A)随时间而变化(B)不随时间而变化
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(C)随处点而变化(D)A或B
88、不稳固扩散(不稳态扩散)是指扩散物质在扩散介质中浓度随(A)。
A)随时间和地址而变化(B)不随时间和地址而变化
C)只随处点而变化(D)只随时间而变化
89、菲克(Fick)第必定律指出,扩散通量与浓度梯度成正比,扩散方向与浓度梯度方向(C)。
(A)相同(B)没关(C)相反(D)前三者都不是
90、因为处于晶格地址和缝隙地址的粒子势能的不一样,在易位扩散、缝隙扩散和空位扩散三种系统中,其扩散活化能的大小为(C)。
A)易位扩散=缝隙扩散>空位扩散(B)易位扩散>缝隙扩散=空位扩散
C)易位扩散>缝隙扩散>空位扩散(D)易位扩散<缝隙扩散<空位扩散
91、一般晶体中的扩散为(D)。
A)空位扩散(B)缝隙扩散(C)易位扩散(D)A和B
92、由肖特基缺点引起的扩散为(A)
(A)本征扩散(B)非本征扩散(C)正扩散(D)负扩散
93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入周边原子,而原子反向迁入空位,这类扩散系统适用于(C)的扩散。
A)各种种类固溶体(B)缝隙型固溶体
C)置换型固溶体(D)A和B
94、扩散过程与晶体结构有亲近的关系,扩散介质结构(A),扩散()。
A)越密切;越困难(B)越松懈;越困难
C)越密切;活化能越小(D)越松懈;活化能越大
95、不一样种类的固溶体拥有不一样的结构,其扩散难易程度不一样,缝隙型固溶体比置换型(D)。
(A)难于扩散(B)扩散活化能大(C)扩散系数小(D)简单扩散
96、扩散相与扩散介质性质差异越大,(B)。
A)扩散活化能越大(B)扩散系数越大
C)扩散活化能不变(D)扩散系数越小
97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主若是经过(D),使得扩散系10数增大。
A)增添缺点浓度(B)使晶格发生畸变
C)降低缺点浓度(D)A和B
98、平时状况下,当氧化物在杂质浓度较低时,其在高温条件下引起的扩散主若是(A)。
(A)本征扩散(B)非本征扩散(C)互扩散(D)A+B
99、按热力学方法分类,相变可以分为一级相变和二级相变,一级相变是在相变
时两相化学势相等,其一阶偏微熵不相等,所以一级相变(B)。
A)有相变潜热,无体积改变(B)有相变潜热,并陪同有体积改变
C)无相变潜热,并陪同有体积改变(D)无相变潜热,无体积改变
100、二级相变是指在相变时两相化学势相等,其一阶偏微熵也相等,而二阶偏微熵不等,所以二级相变(D)。
A)有相变潜热,无体积的不连续性,有居里点
B)无相变潜热,有体积的不连续性,有居里点
C)无相变潜热,无体积的不连续性,无居里点
D)无相变潜热,无体积的不连续性,有居里点
101、晶体由一相转变为另一相时,如该相变为一级相变,则在相变温度时,该过程(C)。
A)自由焓相等,等压热容不等(B)自由焓不相等,体积相等
C)自由焓相等,体积不等(D)自由焓不相等,等压热容相等
102、若某一系统进行二级相变,则在相变温度下,二相的(C)。
A)自由焓相等,体积不相等(B)自由焓不相等,体积相等
C)自由焓和体积均相等(D)自由焓和体积均不相等
103、成核-长大型相变是资猜中常有的一种相变,如结晶釉的形成。成核-长大型相变是由(A)的浓度起伏开始发生相变,并形成新相核心。
A)程度大,范围小(B)程度小,范围小
C)程度大,范围大(D)以上均不正确
104、关于吸热的相变过程,要使相变过程能自觉进行,则一定(A)。
(A)过热(B)过冷(C)过饱和(D)在相均衡温度保温
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105、关于放热的相变过程,要使相变过程能自觉进行,则一定:A(A)过冷(B)过热(C)过饱和(D)在相均衡温度保温
106、临界晶核是可以稳固存在的且能成长为新相的核胚,临界晶核的半径越大,晶核的形成(C)。
A)越简单(B)需要更低的能量(C)越困难(D)不受影响
107、在相同条件下,非均匀成核与均匀成核比较,非均匀成核(D)。
A)晶核数目更多(B)晶核大小更均匀(C)需要更大的过冷度(D)均
不对
108、在成核-生长系统的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀
成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒对比较,有以下关系(B)。
A)非均匀成核势垒≥均匀成核势垒(B)非均匀成核势垒≤均匀成核势垒
C)非均匀成核势垒=均匀成核势垒(D)视详尽状况而定,以上三种均可能。
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