可控硅基础知识讲座.pptx

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2009-02-25
第一页,共二十八页。
单向可控硅等效结构
第二页,共二十八页。
单向可控硅晶体管模型
第三页,共二十八页。
K
G
玻璃钝化
玻璃钝化
单向可控硅平面和纵向结构
第四页,共二十八页。
栅极悬空时,BG1和BG2截止,没有电流流过负载电阻RL。
栅极输入一个正脉冲电压时,BG2道通,VCE(BG2)下降,VBE(BG1)升高。
正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。
电路很快从截止状态进入道通状态。
由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不变。
可控硅工作原理-导通
第五页,共二十八页。
可控硅工作原理-截止
阳极和阴极加上反向电压
BG1和BG2截止。
加大负载电阻RL使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少。
当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用,电路翻转为截止状态。
这个电流为维持电流。
第六页,共二十八页。
关闭电流(IL)
单向可控硅I-V曲线
正向导通电压(VTM)
正向导通电流(IT)
正向漏电流(Idrm)
击穿电压(Vdrm)
反向漏电流(Irm)
击穿电压(Vrm)
维持电流(IH)
闭锁电流(IL)
第七页,共二十八页。
单向可控硅反向特性
条件:控制极开路,阳极加上反向电压时
分析:J2结正偏,但J1、J2结反偏。当J1,J3结的雪崩击穿后,电流迅速增加,如特性OR段所示,弯曲处的电压URRM叫反向转折电压,也叫反向重复峰值电压。
结果:可控硅会发生永久性反向击穿。
第八页,共二十八页。
单向可控硅正向特性
条件:控制极开路,阳极加正向电压
分析:J1、J3结正偏,J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,如特性OA段所示,弯曲处的是UDRM叫:正向转折电压,也叫断态重复峰值电压。
结果:正向阻断状态。
第九页,共二十八页。
单向可控硅负阻特性及导通
条件:J2结的雪崩击穿
分析:J2结的雪崩击穿后J2结发生雪崩倍增效应,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降。
结果:出现所谓负阻特性
正向导通
条件:电流继续增加
分析:J1、J2、J3三个结均处于正偏,它的特性与普通的PN结正向特性相似,结果:可控硅便进入正向导电状态---通态,
第十页,共二十八页。