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数字电路第7章半导体存储器.ppt

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第七章半导体存储器
1
第七章半导体存储器
概述
能存储大量二值信息的器件
一、一般结构形式
输入/出电路
I/O
输入/出
控制
!单元数庞大
!输入/输出引脚数目有限
2
二、分类
1、从存/取功能分:
①只读存储器
(Read-Only-Memory)
②随机读/写
(Random-Access-Memory)
2、从工艺分:
①双极型
②MOS型(单极型)
3
ROM
掩模ROM—采用掩模工艺制作ROM,由掩模板决定。
一、结构
4
二、举例
1
0
5v
3v
四个二极管与门
构成地址译码器
存储矩阵是四个二极管或门组成编码器
四个三态门构成输出缓冲器
5
地址
数据
A1
A0
D3
D2
D1
D0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
0
A0~An-1
W0
W(2n-1)
D0
Dm
6
两个概念:
存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0”
字线
位线
存储器的容量:“字数 x 位数”
CMOS管构成存储矩阵
二极管构成存储矩阵
7
掩模ROM的特点:
出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产
简单,便宜,非易失性

CMOS管构成存储矩阵
8
可编程ROM(PROM)
总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同
9
可编程ROM(PROM)
总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同
一次性编程:16X8位的PROM,编程时:输入地址代码,找出需要写入0的单元地址。和字线加上编程电压约21V,在位线上加编程脉冲。脉冲电流流过熔丝将其熔断为0.
10

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