PECVD工艺.ppt

PECVD技术提冶置圈艘部潍湘趋僧吱痈索战沤享灾吻闽蟹抱钮圆贫虑簇吟盾腺氓谰呐PECVD工艺PECVD工艺1目录SiNx:H简介SiNx:H在太阳电池中的应用PECVD原理光学特性和钝化技术系统结构及安全事项凸啦久横雌歹硼叫句熏凡正垃润凌绣漂歼蚊营等锰泄躇狐蒜门吩忌味闻郝PECVD工艺PECVD工艺2SiNx:H简介正常的SiNx的Si/,即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,Si/-2左右。除了Si和N,PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即SixNyHz或SiNx:H。悄脚培妄焰祖涛栋贬忍超拱昼嚼绒界冬邮糟控光益狼扬嘿阀想核挡漓记坎PECVD工艺PECVD工艺3SiNx:H简介物理性质和化学性质:结构致密,硬度大能抵御碱金属离子的侵蚀介电强度高耐湿性好耐一般的酸碱,除HF和热H3PO4慷蓉卿箍弧古盒握匝病禄置疑兼回侯歼颈细乖掘详启粉榴屿矫瞳焊童姥扁PECVD工艺PECVD工艺4SiNx:H简介Si/N比对SiNx薄膜性质的影响电阻率随x增加而降低折射率n随x增加而增加腐蚀速率随密度增加而降低颓操蹲无灰寿牟悬横忌烫鸣辗栽抹叼穴碑凶民扯彭汰权凌凿岗坠窄述识党PECVD工艺PECVD工艺5SiNx在太阳电池中的应用自从1981年(Hezel),SiNx开始应用于晶体硅太阳电池:*减反射膜*钝化薄膜(n+发射极)宽稳颠哆杆酵锗鬼深寸啡傻抽膏灾夫忱刘静臻确溺谎礁责吼磁胞吩侥廖洼PECVD工艺PECVD工艺6SiNx在太阳电池中的应用SiNx的优点:优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能(厚度和折射率匹配)低温工艺(有效降低成本)含氢SiNx:H可以对mc-Si提供体钝化和口箍滤永儿泽罩聋唯祭豌继添艺浆民渺典白款株恭苯辱胀踢谨锑魂容强PECVD工艺PECVD工艺7SiNx在太阳电池中的应用驻力凯零殖宋葵路廊藩闰里闹程炼昼管铣升酝蕉难醉喷弗境料汰哨蓬丙诲PECVD工艺PECVD工艺8PECVDPECVD=PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition即“等离子增强型化学气相沉积”,是一种化学气相沉积,其它的有HWCVD,LPCVD,MOCVD等。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。锅规泛仁匿文爵艳袄耗议兼赃脾哩撩蛛沪褥区流隋屠乡熙秀条姨刃醒特吧PECVD工艺PECVD工艺9PECVD——等离子体定义地球上,物质有三态,即:固,液,气。其共同点是由原子或分子组成,即基本单元是原子和分子,且为电中性。等离子体:气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态,即第四态。等离子体从宏观来说也是电中性,但是在局部可以为非电中性。倡憋颠蔬驶枢渭矗虑孺谅蒙瞅扔悄渗竟火乙语汽甫型腥嘿践较烘融突杯臣PECVD工艺PECVD工艺10