模拟电子技术基础课件第4讲_晶体三极管.ppt

第四讲晶体三极管
一、晶体管的结构和符号
二、晶体管的放大原理
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
一、晶体管的结构和符号
多子浓度高
多子浓度很低,且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
小功率管
中功率管
大功率管
为什么有孔?
二、晶体管的放大原理
扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。
少数载流子的运动
因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区
因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合
因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区
基区空穴的扩散
电流分配: IE=IB+IC
IE-扩散运动形成的电流
IB-复合运动形成的电流
IC-漂移运动形成的电流
穿透电流
集电结反向电流
直流电流放大系数
交流电流放大系数
为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?
三、晶体管的共射输入特性和输出特性
为什么UCE增大曲线右移?
对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
为什么像PN结的伏安特性?
为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?
1. 输入特性
2. 输出特性
β是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下?
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?
饱和区
放大区
截止区
晶体管的三个工作区域
晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
状态
uBE
iC
uCE
截止
<Uon
ICEO
VCC
放大
≥ Uon
βiB
≥ uBE
饱和
≥ Uon
<βiB
≤ uBE
四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
直流参数: 、、ICBO、 ICEO
c-e间击穿电压
最大集电极电流
最大集电极耗散功率,PCM=iCuCE
安全工作区
交流参数:β、α、fT(使β=1的信号频率)
极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO
讨论一
1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态;
2. 已知T导通时的UBE=,若uI=5V,则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态?
通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。
临界饱和时的