硅单晶品质检测讲义.pptx

该【硅单晶品质检测讲义 】是由【相惜】上传分享，文档一共【15】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【硅单晶品质检测讲义 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。.Ⅲ族与Ⅴ族元素3族:B、Al、Ga、In等5族:P、As、Sb、Bi等C/O于CZ-Si,由于分凝效应〔O:;C:〕,晶棒头部氧含量高,形成氧施主,使晶棒头部电阻率失真;尾部碳含量高,易形成层错、沉淀等,导致电池片击穿等缺陷。金属、碱土等其他元素Cu、Fe、Au等作为深能级杂质,及少数载流子复合杂质对硅单晶电学性能的影响电学性能P/N型电阻率少子寿命复合中心、缺陷碳含量、,主要测试工程以电学性能参数为主:.(N型)还是空位型导电(P型),亦称P/N检测。LDK硅单晶分厂目前主要生产P型硅单晶。N型硅单晶的多数载流子是电子,主要是依靠电子导电;P型硅单晶的多数载流子是空穴,主要是依靠空穴导电。硅单晶的导电类型是由掺杂剂的种类决定的,P型硅单晶的掺杂剂为Ⅲ族元素B、Al、Ga、In等;N型硅单晶的掺杂剂为Ⅴ族元素P、As、Sb、Bi等。.“电子〞和“空穴〞导电类型是指半导体中多数载流子的类型。在一定的温度或光照等作用下,晶体中的价电子有一局部可能会冲破共价键的束缚而成为一个“自由电子〞。同时形成一个电子空位,称之为“空穴〞。从能带图上看,就是电子离开了价带跃迁到导带,从而在价带中留下了空穴,产生了一对电子和空穴。硅就是靠着电子和空穴的移动来导电的,因此,电子和空穴被统称为载流子。对硅的导电性能有决定影响的主要是三族和五族元素原子。还有些杂质如金,铜,镍,锰,铁等,在硅中起着复合中心的作用,影响寿命,产生缺陷等有害作用。.掺杂示意图Si+14P+15B+.