LDMOS
(lateral double-diffused MOSFET)
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
目录
LDMOS结构及工艺流程
LDMOS两管模型
LDMOS阈值电压、击穿电压及导通电阻
LDMOS特性与应用
LDMOS结构及工艺流程
LDMOS结构
与CMOS工艺兼容
源端进行两次注入形成沟道
典型注入剂量1015cm-2、1013cm-2
漂移区为高阻区,承受高压
LDMOS工艺流程
LDMOS两管模型
MOSFET管模型
增益因子
线性区公式
饱和区公式
LDMOS两管模型
有源区的短沟道+漂移区的长沟道
根据E/D管饱和与否求解源漏电流公式
LDMOS器件伏安曲线
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