ITO(铟锡氧化物)纳米粉体的制备及其表征.doc

中南大学硕士学位论文ITO(铟锡氧化物)纳米粉体的制备及其表征姓名:刘雪颖申请学位级别:硕士专业:应用化学指导教师:古映莹 20050415颂1·。讨论了共沉淀法中制备条件,如体系pH值、煅烧温度、。发现采用硅酸钠为分散剂对共沉淀前驱体进行润洗,再在700℃下煅烧2h可获得晶型生长完全、粒径小、比表面积大、。探索了水热反应条件:反应温度、反应时间、矿化剂和反应介质对制备11’o晶体的影响,在实验的上限温度(妈00℃)。但是可以生成结晶性良好的氢氧化铟晶体和羟基铟晶体,作为低温煅烧的前驱体可最后生成六方结构的纳米11’o粉末。两种方法生成了不同结构的11’o晶体,是由于前驱体的不同导致了煅烧过程中晶体生长面族的不同,最终产生同质异构现象,这可以。用配位场理论和晶核形成机理得到很好的解释。最后测试了ITo样品的电性能、微波和红外吸收性能,讨论了Sn的掺杂量、煅烧温度、前驱体形式等对11’o性能的影响。发现当Sn的掺杂量为10m%并在水热(220℃,6h)一煅烧(450℃,2h)条件下制得的11D粉体有良好的微波和红外区吸收性能。本文从晶体生长机理、n型半导体能带理论、迁移率和载流子浓度等因素来解释上述结构。关键词:(铟锡氧化物),煅烧,水热法,掺杂,微波吸收硕十学位论文 AbshⅢ ABSTRACT IT0 n锄叩owders pr印钺洒by chelIlical coprecipitation have beenmetllod and hydrome衄al e髓cts of coprecipi诅tion proce鹳p猢ete娼on me prepared IT0 powders were studie出such pH’ assinte—,disperS醐t锄d印pendent smallpanicle sizc, areas,me well particle distribution and finecubic s虮lcture crystalli窈矗on ITO naIlopowderS were obtailled under mecondition of me sint荫ng at 700℃for 2h a舭r )【ide for11’o w觞washed by dispersam Na2Si03 at fil缸砒ion. The efj眈ts of hydmttlem“process parameters on吐le pr印arcd ITocrystal were investi昏鹏d,Such as hydrothe衄al tempe鞠tllre,hydrot}lemal廿me,miIleral眈r锄d c叮stal w雒notpr印a捌by Ilydrothemal me也od under 300℃.埘OH)3 cr),stal andIn00H c叮stal we∞pr印ared by hydrome咖