退火处理对sno2sb薄膜结构和光致发光性质的影响.pdf

�万方数据
退火处理对��:�薄膜结构和光致发光性质的影响����癕�簄�������眦�王玉恒,马瑾,计峰,余旭浒,马洪磊前言2��������D��Ax������x����������(cu����3����������mev��8l������������������������������������������积法���韬偷缱邮�舴⒎���㈣等。本文采稀有金属材料与工程�最近几年人们对宽禁带半导体产生极大的兴趣,个重要的目的是寻找能产生短波长光发射的半导体材料,用以制造半导体蓝光发光二极管及蓝光激光器。用蓝光激光器可代替��红外激光器使光盘的光信息存储密度大大提高,蓝光发光一极管在全色显示、白光照明和高亮度长寿命信号指示灯等领域有着极其广阔的应用前景。��带隙为���,激子束缚能为�mev)��M2������znO����������������������l����������������������������������������������带半导体的��材料也引起了人们的关注�~”。与znO������sn02��������������������������������带隙和更高的激子束缚能,室温下分别是��ev��130����sn0����������������������������������人们对��薄膜的研究主要是集中在透明导电和气敏性质方面,光学性质的研究多限于透射、反射����������p��������������������������������������制备��薄膜有多种方法,如化学气相沉税法�����、溶胶凝胶法��一����”、脉冲激光淀������������������������snO����sb��������sb������������sn0������������������������������������sn02��sb��392�,研究了退火对薄膜发光性质的影响,并对��:�的光致发光机制进行了研究。��JPGF��450����������������������������������sn02��sb������������������������10��3�。溅����������������������99��99��sn02��sb203����经混合、球磨后压制成坯,再经��℃烧结而成。靶��sb203����������������2����4����6����8������纯度为�.�%的氩气和氧气作为工作气体:由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中,控制真空室内����������l�,氧分压为���,靶与衬底间的距����5cm������������1���ι涫奔涫���,衬底温度是��妗1∧ぶ聘骱蠼ú粼游�%靶制备的样品切成’���渲�片分别在真空和空气中退火,真空退火温度为��妫�掌�嘶鹞露任��℃。用���射波长,���nm)����������������������������光分光光度计�����测量样品的吸收谱。使用激������325�的�.�激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光性质。幽��隽擞貌煌�粼优ǘ萻��的溅射靶制备��:�薄膜��湎哐苌淦住M�巾的�琤,�蚫对应溅射靶中���呐ǘ确直鹞�%,�