退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响.pdf

第40卷 ，第11期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 . 40 ， . 11 ， ‐
2 0 2 0 年 1 1 月 Vol No ，20p2p0
Spectroscopy and Spectral Analysis November
退火对磁控溅射掺铕氧化钇薄膜光致发光谱的影响
林舜辉 ，张李辉 ，刘勇权 ，王孝坤 ，林春雷 ，余云鹏 *
先进光学与光电子学研究中心 ，汕头大学理学院 ，广东 汕头 515063
摘 要 稀土掺杂荧光薄膜的发光性能与薄膜所经历的后退火处理密切相关 。为了解退火对磁控溅射制备
3 ＋
的 2 3 ∶ 薄膜发光性能的影响 ，在三种不同的工艺条件下 ，采用射频磁控溅射方法制备了三组厚度
Y O Eu 3 ＋
100 多纳米的 2 3 ∶ 薄膜样品 ，并在氧气气氛和常压条件下对每组的四个样品分别进行室温 、 700 、
Y O Eu
900 和 1 100 ℃ 的 2 退火处理 。样品的 射线衍射谱（ ） 、电子能量色散谱（ ） 、光致发光（ ）及其
h X XRD EDS PL
激发光谱的测量结果表明 ，虽然薄膜是在不同条件下溅射得到的 ，但经相同的退火处理后 ，它们的发光和结
构却都呈现出相同的变化规律 。首先 ，薄膜荧光的主激发机制不受退火温度的影响 ，都是波长为 252 的