�万方数据
ZnO����������������人体学报张利学,陈长乐,罗炳成������引言工晶���Labom��of�������Bing��chengam��The��������ZnO����������������������������������������������������������������������������������������ZnXO(X=Li��Na��������,������������������������甌�����琣�������������ZnO������������(E��=3��37eV��11)����������������������������60meV������������38����6����年�月摘要:采用固相反应法制备了不同比例的碱金属掺杂��胁模�⒗�么趴亟ι浞ㄔ趕���基片上制备不同温度下生长的�嵩裼湃∠騔�薄膜。通过����和荧光光谱���研究了掺杂元素和掺杂比例对薄膜结构和������������������������������������ZnO����������������������C��������������������32511111��������为激发光源得到不同样品的�谱,分析表明,紫外发光峰来源于自由激子的复合辐射与带间跃迁,蓝绿发光峰与锌缺陷和氧缺陷有关。此外还探讨了紫外发光蜂红移的可能机理。������������������������������ZnO��������������中图分类号:��������������A����������1000-985X(2009)06-1477-04����metal��RF基金项目:西北工业大学基础研究基金������鞅惫ひ荡笱��厶�峁褂胄灾噬挛魇≈氐闶笛槭遥�靼�����—��,�����猯�琇����,���Abstract��Themethod��Thestructures��surface�猺�orientation��blue��green�����甌�peaks��words��alkalisputtering��ZnO���籶������������������2009-02-01������������2009-05��11作者简介:张利学����,男,内蒙古自治区人,硕士。�猰��簔��������.��通讯作者:陈长乐,教授。�猰��篶������甧�.���.�No��6����,�������,�����������,��2009��accepted��Maysources��
�万方数据
i��垂::量�验3����������料及低维结构能被用于制作蓝绿光发光器件、非线性光学器件、紫外光探测器和太阳能电池的透明电极薄膜发光性能的影响的报道比较少。本文采用射频磁控溅射法在��实��������������������������������ZnO����������������������������������������������2��104上海爱建纳米�一Ⅲ型原子力显微镜对制备的薄膜进行了表面形貌、颗粒粗糙度等方面的测试。薄膜室温��公司的��ü夤馄滓巧贤瓿傻模�し⒐怆�撇ǔげ捎����������������������K+��Na+�����
碱金属掺杂ZnO薄膜发光性能研究 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.