金属硫化物半导体薄膜的制备方法--毕业论文.doc

诚信声明
本人郑重声明:所呈交毕业论文,是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容外,本文不包含任何其他人或集体已经发表过或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律责任,结果由本人承担。

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2013年 5月 25 日
目录
第一章绪论 1
半导体纳米材料的概述 1
1
硫化物半导体的发展概况 3
硫化物半导体的制备方法 4
论文的研究目的和意义 5
第二章实验部分 7
实验试剂 7
实验仪器 8
实验方法 8
基底的预处理 8
APTS SAMs的组装 8
In2S3纳米薄膜的制备 8
9
第三章结果与讨论 10
APTS SAMs 对In2S3纳米薄膜的影响 10
络合剂对In2S3纳米薄膜的影响 10
In2S3纳米薄膜的晶体结构 12
In2S3纳米薄膜的光学性能 12
结论 14
参考文献 15
致谢 17
金属硫化物半导体薄膜的制备方法
—In2S3纳米薄膜的制备及性能研究
专业:高分子材料与工程姓名:** 指导老师:**
摘要本文以In2S3纳米薄膜作为研究对象,采用化学浴沉积法在组装有自组装单分子层的表面制备In2S3纳米薄膜,研究了自组装单分子层和络合剂TEA对In2S3纳米颗粒成膜情况的影响。结果表明:自组装单分子膜对高质量In2S3纳米薄膜的生成非常重要。In2S3纳米颗粒在APTS表面能形成颗粒尺寸均一,表面平整的In2S3纳米薄膜,而在裸露的ITO导电玻璃表面不能形成致密的薄膜;TEA 对生成高质量的In2S3纳米薄膜有很大的影响,当铟源、硫源和TEA为1:3:2时,能生成非常致密的薄膜。同时考察了In2S3纳米颗粒在单分子层表面的成膜机理。
关键词:In2S3, 自组装单分子层,化学浴沉积
ABSTRACT
Taking In2S3 as the research object, In2S3 thin films were prepared on the self-assembled monolayers(SAMs) modified substrates by the chemical bath deposition. The effects of SAMs and the condition of reaction on the deposition of the thin-films material were systematically investigated. The results demonstrated that the SAMs plexing agent (TEA)play a key role in the deposition of In2S3 thin film. The continuous pact In2S3thin films with good adhesion were prepared on the substrate modified by APTS SAM, but pact film on the bare ITO surface. pact films were essfully prepared in the system with molar ratio of In3+,sulfur and TEA = 1:3:2. The deposition mechanisms of In2S3 thin film on APTS SAMs surfaces were systematically studi
ed.
Keywords: In2S3, self-assembled monolayer, chemical bath deposition
第一章绪论
半导体纳米材料的概述
早在1782年, 通过实验区分了导电性能介于金属和绝缘体之间的“半导体”,并在提交给英国皇家学会的一篇论文中首先使用“半导体”一词。现在随着社会的进步,半导体材料的应用已与每个人的生活息息相关。半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间,依靠电子和空穴作为载流子导电。室温时,半导体电阻率约在10-5~107欧·米之间, 它们一般具有负的电阻率温度特性,并具有光电导效应、光伏特效应及整流特性等[1]。因此,研究和开发新型的、高性能的半导体材料不仅具有重大的科学意义,同时也能够