硅纳米线的备及光学性能研究.pdf

学位论文作者:刍研桶丞弧诋学位论文使用授权声明妒晔吕┤学位论文原创性声明年‘月本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,进行独立研究所取得的成果。除了文中已经注明引用的内容,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。学位论文作者:本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品,知识产权归属郑州大学。根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅;本人授权郑州大学可以将本学位论文的全部或部分编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或者其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或与该学位论文直接相关的学术论文或成果时,第一署名单位仍然为郑州大学。保密论文在解密后应遵守此规定。日期:
摘要硅的纳米结构是一种优异的半导体材料,具有化学、物理及力学等性能。它的光致发光性能使得硅纳米结构的光集成电路有望成为现实。本文对金属辅助化学法制备硅纳米线结构进行了研究,并对硅纳米线阵列的光学性质进行了探讨,主要工作如下:采用化学刻蚀法制备硅纳米线阵列,通过改变反应溶液的浓度,刻蚀时间,刻蚀温度等参数,获得制备硅纳米线阵列的最佳参数。基于此,对化学刻蚀法的机理进行了分析,并得到了一种制备硅纳米孔洞的方法。对硅纳米线阵列的簇状结构的形成进行了分析,认为稳定性是簇状结构形晶体硅是间接带隙半导体,不能发光,而硅纳米线阵列结构是直接带隙半导体,有良好的光学性质,通过扫描电镜以及荧光光谱仪等的测试,对硅纳米线阵列发发光的机理进行了探讨。贤饪杉止夤舛燃贫怨枘擅紫哒罅泻凸枘擅卓锥唇峁沟牟馐裕⑾止璧哪米结构具有很好的减反射效果,我们对此进行了分析,这种性质有望在光伏产业方面有很好的应用。关键词:化学刻蚀法硅纳米线硅纳米孔洞光致发光反射率成的重要决定因素。
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1331目录1231118光致发光性能⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒌ピ!场效应晶体管⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11451TTT
第二章实验设备与实验原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..第三章硅纳米线制备及表征⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..本论文选题依据及主要工作⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..2111实验试剂与设备⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯实验部分⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.实验过程⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯样品的表征⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..ü⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯实验中的注意事项⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯浓度对硅纳米线的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.333293343233533336363373714623i78323331332
第四章硅纳米线阵列的光学性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一不同反应条件对硅纳米线阵列发光特性的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯第五章结论与展望⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯参考文献⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅纳米线的光致发光⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅纳米线的光致发光特性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅纳米线的光致发光机理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯