磁控溅射sige薄膜制备工艺及性能的研究.pdf

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恝枞磁控溅射薄膜的制备工艺及性能研究账苻中文摘要⑾低巢隽硕嗑∧さ挠乓煨灾剩约澳壳爸票窼∧さ闹饕7椒ā!4随着光电子技术和薄膜技术的共同发展,多晶硅锗薄膜日益受到研究者的重视,在光电集成、微电子以及薄膜太阳能电池等领域都渗透着硅锗薄膜的广泛应用,而且硅锗薄膜也已经进入到了人们的日常生活当中。多晶薄膜具有制备工艺简单,成本低廉,可以大面积生产,易于控制等特点。本论文采用直流溅射和射频溅射共同溅射薄膜,目的是得到质量均匀的优质薄膜,主要开展了以下几个方面的工作:控溅射,用磁控溅射分别溅射、,获得溅射、的最佳参数,在此基础上,共同溅射多层复合薄膜。⒀芯苛私ι涔讨薪ι洳问员∧さ木Щ椭柿康挠跋臁=峁⑾值背牡孜露任℃时,薄膜的质量最佳,结晶度增加,晶粒直径大,而且表现出良好的择优生长特性;压强太低和太高,都不利于薄膜的优化生长。当压强为时,溅射速率适当,薄膜的质量及致密性最佳;加一定的偏压可以降低衬底温度,实现多晶薄膜的低温生长。当加偏压为保山ǔ牡孜露冉档℃,同样可得到晶界⒀芯苛送嘶鹞露群褪奔涠员∧ぞЩ爸柿康挠跋臁=峁⑾值蓖嘶鹞露任℃时,薄膜质量的均匀性和致密性最佳;随着退火时间的增加,晶粒增大,粗糙度增加,⑼ü谋浣ι渖ぶ芷冢芯糠⑾諷∧さ姆⒐庵饕J怯蒩擅缀虶米晶粒间的缺陷引起的。当溅射周期为时,晶界面最清晰,质量最优。明显的多晶薄膜。膜层均匀性变差。关键词:薄膜;磁控溅射;结晶性
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磁控溅射薄膜的制备工艺及性能研究
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目录材料的基本性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅锗薄膜的国内外研究现状⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯/异质结难芯俊璴难芯俊璴薄膜在太阳能电池方面的研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.本论文的研究背景及目的⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯第二章磁控溅射硅锗薄膜的原理及性能测试方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..磁控溅射的溅射原理⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒐馄第三章磁控溅射的沉积工艺对硅锗薄膜结晶性能的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..薄膜样品制备前的准备实验⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.⒄∧ぞЩ靶阅艿挠跋臁第四章退火温度及时间对硅锗薄膜性能的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一第一章绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯硅锗薄膜的基本性质⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..硅锗薄膜制备方法的介绍⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.聘鱏∧∧⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⒕⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.馄⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.牡孜露榷怨枵啾∧∧ぞЩ靶阅艿挠跋臁磁控溅射硅锗薄膜的能谱分析图⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯..样品的制备⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯退火温度对硅锗薄膜性质的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯计追治觥.
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治觥退火时间对硅锗薄膜性质的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯治觥蚊卜治觥小结⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯.第五章溅射不同周期硅锗薄膜的谱的研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯样品的制备⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯溅射不同周期硅锗薄膜的性能的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯苌渫计追治觥谱的分析⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯弱∞一~~录~目~文~论~术『~的~表论献~发~问结文~期~位章考谢学六读第参致攻”甜磁控溅射薄膜的制备工艺及性能研究.¨●
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第一章绪论伏效应不仅可以制作光电探测器,还可以制造光电池——太阳能电池。它的发电原理是随着社会经济的迅猛发展,以及现代电子科技事业的飞速发展,而随之带来的是全球能源价格的不断上升和温室气体减排的呼吁声不断增大,所以可持续发展战略越来越被世界各国所接受,被多数学者所认同。目前,人类社会研究能源的主要方向