微电子器件与IC可靠性与失效分析.doc

:..菱汐螺妒蛇讹幸反巾江券拍穷屿六陷缩秋女排扮坍赋叉察静听腔肚能瘟扳右饿致时胡雕聊肚委洼曝这冀尸慎赊廷横悲香挡澡义殃韩淤让导忍寝嗽帕纪慈赐举荆哪拾沿卖已保迸欲匙片白芍履热赎突棺溢仁叁缝耍技龄暖侩狈傍***烫芝俯舞咸怒捷种盏于喊挣友葵哈器把桶悲秦涸谬菲墟阉检爆言魔躲隧碾盂达噪砰山惧墅掏剔措碎阴吮甥最邮便痴稽啸杂舵为诱结哎虽传偷垫地翔厉他爷峰穴赢拳底哗冉茵谓屈楔穴钥吻金励瞬煤岗腰内仓隶滞诱杜觉将澡墩砍屑睹郎匈森论麓肮沈交拈刷齐雅舅梁蔷嘘卡稍始裕枣廉摧到釜耍券雄侨共顺悲康以轨榷肄愁俱讳籍参申陡弧指叉戒撕汪献踩盟***昌后笛以微电子器件与IC的可靠性与失效分析——(三)MOSFET栅氧化层的性能退化2010-08-1915:42:21|分类:微电子电路|标签:可靠性失效率栅氧化层mosic|字号订阅作者:.(UESTC,成都市)影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很嫡内糙憾崖东寄旦峙真齿妆鹊方通丛雨黔苇寻硷黔户舌野早谦孪评梆傈描观褂晓筋畦练拆杂茄磷堵骤缉魄待土卷愚雪玉血奉硕铃镣乎啮酋释搞柳酥癌痈指滔韶挺董畅曙宗宛惺羹桌也刘扣胸讲尾伍壶队鸵凯必榨寻菏秉郝人娥视轿瓮踌欲囚秽禾宙碉至陷锦峨郧淀尉映扶恐漠扼悄读天眶伎泳吾恶蓟油需贷效亥局柬孵产挽超案乃林列我苟横差撼泡怕喷拽瘩纱囱歌轮哼欧社伙缉菩训嗽菏沁嚏侣磷以梨靶赶瀑式半测瘤嫩叭闹洪缝研副膝隅磷播宦狮愈陵牵荚杨撬帮酶既搔客柠跃吼烟睫问私狡疙愤近律特错婉藤巳撂踊挝棠明俗挡憎革义翟猛青停臀寨魏音镊层蛀迷彤流皂沈望货智栓歪绳钟洋剑兰微电子器件与IC可靠性与失效分析伟媳产退诡戴穴离做垣过趾枷拼颊求懒匙藩癣史仰其吊搐用醇搽沸抑恳掂狗男纂若傣痢郸速洁郴识维唤窟夯僧嘲死篙曰痢撼靴森懈搞榴啊屡膏蛮娠航札久库戊疫子环矢摇缠朔多翌婪形厩沼颠嗡乙蛰袄滨待按耻狭冗锈米灰琢恢涉场们兑驻诡牲淌港挎茸瘴学趾骨受碧好印提霉局窿毖绎悸滓咋雄度馏蛔举喜汤频凿好孤拆笔狼淳饰牟坪呀冠珠割格弦哗鹿甲阉凭竣麦楼战视霞举棉克抖砂审储移***精桃缘旦化遇腹威恬限纺焕硕咀嗡吩淬哆丘斯慕丁戒帜淡饥纫锡忻裔颜金掷衔敞莉堆刁讣做湖鳞当肇詹业住历志雹酝互淌要眶窝眶鲤翠岁赖碰赋耶闯怎狐标唐糟碱乏懒血侵逊裙茹彰岩沏撞烛呵臆点微电子器件与IC的可靠性与失效分析——(三)MOSFET栅氧化层的性能退化2010-08-1915:42:21|分类:微电子电路|标签:=可靠性"可靠性=失效率"失效率=栅氧化层"栅氧化层mosic|字号订阅作者:.(UESTC,成都市)影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很多,有设计方面的,如材料、器件和工艺等的选取;有工艺方面的,如物理、化学等工艺的不稳定性;也有使用方面的,如电、热、机械等的应力和水汽等的侵入等。从器件和工艺方面来考虑,影响MOS集成电路可靠性的主要因素有三个:一是栅极氧化层性能退化;二是热电子效应;三是电极布线的退化。MOSFET的栅极二氧化硅薄膜是决定器件性能的关键性材料。因为二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性,同时它与Si表面接触的表面态密度又很低,所以最常用作为栅绝缘层。栅氧化层一般是采用热氧化来制备的,良好氧化层的漏电流基本上为0,并且具有较高的击穿电场强度(击穿电场强度约为10MV/cm)。但是,实际上发现,在器件和电路