频率源国内外研究现状.docx

频率源国内外研究现状目前,频率源的研究追求宽输出频带、高输出频率、低相位噪声、高杂散抑制度、快速频率转换、小型化以及低成本。国外对于频率源的研究时间较早,至今这方面的工业技术已经相对成熟,例如在毫米波宽带频率源研究方面,意大利几位学者在XX年采用了65nm的CMOS工艺设计了55~65GHz的13GHz带宽的接收机。而在最高频率输出研究方面,同年美国加州大学学者利用InPHBT技术以30GHz的基准源直接十倍频产生了300GHz的频率源,且相位噪声为-78dBc/******@100kHz。这些都代表着频率源研究的前端成果。32608 同时基于芯片集成技术的不断发展,国外许多公司,比如AnalogDevices、Hittite、Motorola等,已开发出各类成熟的单片集成的频综芯片。ADI公司对于DDS芯片的研究相当领先,在许多论文资料中都可以发现他们设计大多采用ADI公司的DDS芯片,比如AD991X系列。论文网相比国外成熟的频率源技术研发,国内的研究主要以研究所与高校为主,并且主要在购买国外进口的集成PLL、VCO以及DDS等芯片的基础上进行开发。在XX年,电子科大的李占国以YTO代替VCO实现了8~18GHz的宽带输出频率源,其中频率步进为100kHz,相位噪声低于-70dBc/******@10kHz,杂散电平低于-60dBc[4],同年该大学的吴涛实现了94GHz的频率步进频率源,它的第一本振频率切换时间为1μs,相位噪声低于-90dBc/******@10kHz,杂散电平低于-55dBc[27]。此外由于各类电子设备向便携式方向发展,频率源的小型化也是目前研究热点之一。对于频率源小型化的设计考虑,首先是采用PLL结构相比DS会使体积大幅下降,其次对于DDS和其控制器的电路板设计可进一步优化减小,这个可以参见电子科技大学的崔苇波在8mm频率合成器技术研究中两个课题的研究对比,对于第一个课题他采用了DDS+DS结构,出现了体积过大问题,进而提出第二个课题的优化方案,采用DDS+PLL结构,并且将FPGA和DDS模块集成于一个板内,实现了体积的缩减[1]。源自/六"维:论'文;网(加7位QQ3249"114 而更为关键的还是在于微波集成电路技术(MIC)的研究,微波集成电路主要有两种形式,即混合微波集成电路和单片微波集成电路,混合微波集成电路始于20世纪60年代,目前基于此构成RF部件的技术已经十分成熟,国内