PIE工程师必备.doc

?PIE的主要工作是什幺?答:ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率(yield)稳定良好。,300mmWafer代表何意义?答:8吋硅片(wafer)直径为200mm,(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺?答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。?答:wafersize变大,单一wafer上的芯片数(chip)变多,单位成本降低200→,(technology)代表的是什幺意义?答:。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。->->->->?答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。->->->->。(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓N,P-typewafer?答:N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如:B、In)的硅片。(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义?答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).(1层的Poly和6层的metal)。而光罩层数(masklayer)代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO(光刻).?其中startoxide的目的是为何?答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。?答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。?WaferID又代表什幺意义?答:Lasermark是用来刻waferID,WaferID就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。(waferprocess)过程包含哪些主要部分?答:①前段(frontend)-元器件(device)的制造过程。②后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation)(frontend)的工艺大致可区分为那些部份?答:①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)②阱区离子注入(wellimplant)用以调整电性③栅极(polygate)的形成④源/漏极(source/drain)的形成⑤硅化物(salicide)?为何需要STI?答:STI:ShallowTrenchIsolation(浅沟道隔离),STI可以当做两个组件(device)间的阻隔,?简单说明AA的用途?答:ActiveArea,即有源区,是用来建立晶体管主体的位置所在,在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。,要注意哪些工艺参数?答:①STIetch(刻蚀)的角度;②STIetch的深度;③STIetch后的CD尺寸大小控制。(CDcontrol,CD=criticaldimensi