下载此文档

半导体名词解释.doc


文档分类:资格/认证考试 | 页数:约10页 举报非法文档有奖
1/10
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/10 下载此文档
文档列表 文档介绍
1.  何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?
        答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。
2.  200mm,300mm Wafer 代表何意义?
        答:8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.
3.  目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺?
        答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4.  我们为何需要300mm?
        答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低
    200→300 ,
       
5.  um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义?
        答: um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。
6. ->->->-> 的technology改变又代表的是什幺意义?
        答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。 -> ->   -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓 N, P-type wafer?
        答:N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片。
8.  工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?
        答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子         注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。
9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义?
        答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线). 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
光罩层数(mask layer)代表硅片的制造必需经过

半导体名词解释 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数10
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人1322891254
  • 文件大小0 KB
  • 时间2015-12-29