CVD金刚石薄膜探测器性能研究.pdf

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’探测器;薄膜中的缺陷会降低探测器的电荷收集效率,探测器的电荷收集效率随场强增大而增大直至世纪年代以来,随着猚比∽/。。、载流子迁移率高、击穿场强高的性质,因而用金刚石制作的辐射探测器具有噪声低、时间响应快、耐辐照、线性电流大等优112际醯某墒欤贑金刚石材料的半导p4JCERNRD42CVD刚石探测器的制作和应用技术发展很快,但至今尚未形成成熟的商用产品,这主要是因为其性能与薄膜质CVD器的研制和应用,迫切需要对其性能进行研究、,杂质、晶格5这些缺陷在金刚石的禁带中产生中间能级,,遇到陷阱,),,、电荷收集效率、,对该类探测器的性能进行了研究.—清华大学工程物理系2(710613)北京科技大学材料学院西安交通大学·国家自然科学基金资助第卷第期年月北京西安一—收稿,一—收修改稿Vbl31No12Dec2007
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露圃喜:瑁贑金刚石薄膜的两面蒸镀衄厚的金供/岫以内电场,分别用小电流计和示波器记录探量级,其暗电游电压线性关系良好,说明电极与1LrlI234r0L用于实验的鸶帐讲馄鹘峁谷缤所示,无结的均匀型金刚石薄膜的尺寸为≯×层与周围的铜电极共同作为信号的引出电极,外壳用23测器的电信号.(>i完成了以下三方面的实验工作:在射线源关闭且避光的条件下,.(S)***线入射到探测器灵敏面上的粒子数,用小电流计测得探测器外(J)路引起的电荷量,可以得到探测器的灵敏度,/,利用蒙卡模拟软件计算得到了在不存在缺陷的情况下探测器对700=S&,波形被展宽,()2贾逼鱨CvD4甇一二一
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=[te-2l+e2v4)_流予漂移速度在电场强度为/岫时舞始偏离线5⋯以由欧姆定律渲一够/,结含蘸线直线拟合结果计仃‰十口丁,在饱和区,电荷收集效率与平均值的最大偏差小于5篷稳定。电蔫收集效率戆键秘现象酶原因将在本文第5探测器时闫响应鸶帐讲馄鞫辐射源的时间响应波形6探测器