一维ZnO纳米结构制备及其异质结光电性能 ZnO作为重要的半导体材料,近年来受到了广泛的关注。本论文针对ZnO纳米材料研究的热点问题,研究了水热合成法和气相传输方法制备一维ZnO纳米结构及其生长机理。利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备了p-n异质结结构,并对其光电性能进行了研究。本论文的具体研究内容如下:(1)利用水热合成法制备一维ZnO纳米结构,对样品的结构、形貌进行表征并分析其生长机理,通过PL测试,发现制备的ZnO纳米结构具有良好的光学性能。(2)利用气相传输法制备了ZnO纳米线阵列,分析了其生长机制,并对其进行了测试。在实验过程中,改变了实验条件,发现载气流量和载气浓度比R能够影响ZnO形貌。(3)利用n-ZnO纳米结构与p-Si制备p-n异质结结构。首先,对p-Si进行刻蚀,然后利用水热合成方法在刻蚀后的Si片上生长ZnO纳米结构。经过测试,形成的p-n异质结具有较好的结结构和光电性能。同主题文章[1]. 世界首次利用金属纳米结构的光纳米成像技术'[J]..(02) [2]. '[J]..(04) [3]. 多孔金纳米结构的奇特光学特性'[J]..(11) [4]. '[J]..(04) [5]. 张志军,王发展,刘勃,(1-x)Cd_xO纳米结构及其光致发光特性'[J]..(10) [6]. '[J]..
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