第四章双极结型三极管及放大电路基础*PPT课件§(BJT)§§§§§§*PPT课件§(BJT)*NP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高BJT的结构特点*NP基极发射极集电极发射结集电结*+基区空穴向发射区的扩散形成IEP。IBN进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBN,多数扩散到集电结。发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IEN。=IEN+IEP≈IENIEP从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,。ICN集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIB=IEP+IBN-ICBOIC=ICN+=IEN-IBNIB=IEP+IEN-ICN-ICBO=IE-IC前提条件:发射结正偏集电结反偏*PN型三极管BECIBIEICPNP型三极管*PPT课件晶体管的三种基本接法(a)共发射极;(b)共集电极;(c)共基极*,定义共基极直流电流放大系数为称为集电极与发射极间反向饱和电流反映BJT在共发射极连接时集电极电流IC受基极电流IB控制的关系称为共发射极直流电流放大系数*-I特性曲线测试线路iCmAVBBBJT的V--I输入特性*PPT课件
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