ZnO及ZnOAg纳米棒的两步法制备研究.pdf

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摘要百分比㈨啦。訸纳米棒的结构和光学性质的影响。研究结果表明:所力减小。当念媸保琙纳米棒中的应力从拉应力向压应力转变。溅射法ⅲ畇等常规方法制备样品所具有的优点,而且成本低,工艺氧化锌是一种在室温下具有带隙为、激子束缚能为膎型直接带隙半导体。由于具有优异的光学和电学性能,其在紫外发光二极管、激光器、蓝绿光等多种发光器件、太阳能电池、显示屏和照明等方面具有重要的应用前景。采用水热法制备掺杂擅装舨唤鼍哂腥缛芙海悍ā⑸淦荡趴简单,易掺杂。此外,掺杂且恢智绷艽蟮腜型粼臃椒ā1文采用两步法制备了不同形貌的纯擅装艏癆粼覼纳米棒,主要采用扫描电子显微镜、湎哐苌洹⒎止夤舛燃坪蚉紫晗秆芯苛烁魇笛椴问擅装艉虯粼覼纳米棒形貌和光学性质的影响。具体研究结果如下:萌仁е胤ㄏ晗秆芯苛舜姿嵝咳冉馕猌质量和热量随温度的变化趋势。研究结果表明:治A讲椒纸猓旱谝徊剑ソ峋水变成无水盐;第二步,无水盐分解。盟确ㄔ诖姿嵝咳冉夥ㄖ票傅腪种子层上生长擅装艉虯掺杂擅装簦晗秆芯看姿嵝康牟煌冉馕露群虯胱佑隯胱拥哪Χ有样品均呈现出、、、卣餮苌浞宓六方多晶结构。擅装舳汲氏置飨缘嵩裼湃∠颍℃时结晶度达到最大。在生长过程中残余应变随着热解温度的增加而变松弛,宏观应米棒在可见光区的平均透射率偏低。平均透射率随着热解温度的增加而先增大后减小,当丁℃时,平均透射率达到最大。擅装舻钠骄嗣娉叽缢热解温度的变化趋势和平均透射率一致。离子以替位的形式进入Ц中,擅装舻腃轴择优取向性随着#痁。的增加而减弱。当蝂。.ナ保擅装艋旧ナЯ薈轴择优取向。随着痁脑黾樱擅装粼诳杉馇平均透射率先增大后减小,吸收边先蓝移后红移。当痁%时,掺杂对纳米棒的端面尺寸和径向尺寸的影响可能是平均透射率提高的主导机制。盟确ㄔ谥绷鞔趴亟ι渲票傅牟袈裂趸种子层上生长不同
形貌和光学性能的纯擅装艉虯粼覼纳米棒,分别详细研究了离子与离子的摩尔百分比/种子层和水热法前后不同退火温度对纯擅装艉虯粼覼纳米棒的结构以及光学性质的影响。研究结果表明:随着痁脑黾樱珹粼覼纳米棒的微结构和光学性质的变化与银掺杂诱导的纳米棒的端面尺寸变化有关。溅射腁种子层上生长的擅装粼诳杉馇姆⒐夥迕飨郧坑诮ι腁种子层上、相同啦跫律さ腪纳米棒。掺杂产生的点缺陷增多导致可见光区波包较宽。样品的半高宽和宏观应力,平均端面部尺寸,平均透过率和发光强度取决于水热法前后的退火温度。峁砻鳎型嘶鸬腪纳米棒轴择优取向具有相同的晶体结构,但宓那慷人嫱嘶鹞露榷化,前退火生长的擅装粼赥娲锏阶畲笾担笸嘶鹕さ腪纳米棒在℃达到最大值。在可见光区的平均透过率先增加后减小,随着温度的升高,都在死℃达到最大值。在可见光区的发光强度随着温度的先降低后增加。杂诜直鹩么姿嵝咳冉夥ê陀弥绷鞔趴亟ι渲票傅闹肿硬闵仙さ擅装舻慕峁购凸庋灾首髁吮冉涎芯俊=峁砻鳎褐绷鞔趴亟ι渲票傅种子层上生长的擅装舯却姿嵝咳冉夥ㄖ聘鞯闹肿硬闵仙さ腪纳米棒的形貌均匀、致密,嵩裼湃∠蚝茫辉谥绷鞔趴亟ι渲聘髦肿硬惚仍诖姿嵝热解法制备的种子层的结晶质量好导致生长的擅装舻钠骄干渎式细摺关键词:擅装簦⒔峁梗庋灾剩确ǎ绷鞔趴亟ι浞ǎ戎胤析法,醋酸锌热分解摘要
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目录摘要⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一目录⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯绪论⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯研究背景⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯课题的提出⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯闹票阜椒ā擅装舻闹票阜椒ā擅装舻挠τ谩。.。。。....。。。。..。⋯..。。。。..。。。