DLAS技术原理培训市场部-许鹏产品基本情况******@2005FPIinc,(DLAS)技术******@2005FPIinc,-E1=hn分子能量表现旋转振动电子跃迁******@2005FPIinc,******@2005FPIinc,=F(Absorbance,T,P,L)******@2005FPIinc,,S线强由两方面因素决定:①分子跃迁上,下能级的波函数—由分子结构等性质决定②分子的集居(Population)—与温度相关******@2005FPIinc,:测不准原理影响因素:温度/压力归一性:面积不变******@2005FPIinc,——DiodeLaserAbsorptionSpectroscopy半导体激光吸收光谱与传统吸收光谱相似,基于受激吸收效应并遵循Beer–Lambert公式采用半导体激光器为光源,并可采用调制吸收光谱技术(TDLAS)发展历史:上世纪六十年代,激光器发明上世纪七、八十年代,激光吸收光谱技术逐步应用于科学实验的精密测量上世纪九十年代,半导体激光器和光纤元件大规模商用化上世纪九十年代,欧美国家开始DLAS技术产业化研究******@2005FPIinc,***好,即光的波长宽度窄。<,传统红外光源一般在20-30nm左右可调制扫描绝大部分光属于红外区域,波长范围750-2000nm左右。激光波长范围******@2005FPIinc,allright10.
激光分析仪技术原理ppt课件 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.