DLAS技术原理培训市场部-产品基本情况******@2005FPIinc,allright2吸收光谱技术吸收光谱技术半导体激光吸收光谱(DLAS)技术******@2005FPIinc,allright3吸收光谱技术E1E2光子能级跃迁能级的概念E2-E1=hn分子能量表现旋转振动电子跃迁******@2005FPIinc,allright4分子光谱每两个能级对应一根吸收谱线在低分辨率光谱上表现为谱带******@2005FPIinc,allright5浓度测量公式透过率曲线测量基本公式吸收率absorbance关键因素X=F(Absorbance,T,P,L)******@2005FPIinc,allright6公式说明在波长一定的情况下,S线强由两方面因素决定:①分子跃迁上,下能级的波函数—由分子结构等性质决定②分子的集居(Population)—与温度相关******@2005FPIinc,allright7公式说明线型函数Φ产生原因:测不准原理影响因素:温度/压力归一性:面积不变******@2005FPIinc,allright8DLAS技术DLAS——DiodeLaserAbsorptionSpectroscopy半导体激光吸收光谱与传统吸收光谱相似,基于受激吸收效应并遵循Beer–Lambert公式采用半导体激光器为光源,并可采用调制吸收光谱技术(TDLAS)发展历史:上世纪六十年代,激光器发明上世纪七、八十年代,激光吸收光谱技术逐步应用于科学实验的精密测量上世纪九十年代,半导体激光器和光纤元件大规模商用化上世纪九十年代,欧美国家开始DLAS技术产业化研究******@2005FPIinc,allright9DLAS技术使用半导体激光器作为光源单***好,即光的波长宽度窄。<,传统红外光源一般在20-30nm左右可调制扫描绝大部分光属于红外区域,波长范围750-2000nm左右。激光波长范围******@2005FPIinc,allright10
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